經(jīng)典電路：晶體管載波振蕩電路圖文詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-09-13
（一）
晶體管載波振蕩電路，該振蕩電路設計在4.5kHz頻率上，可使用低頻晶體管，使用高頻晶體管對穩定度更有利。
（二）
LC與晶體管振蕩電路的輸出是發(fā)射機的載波信號源，要求它的振蕩十分穩定。
一般使用晶振電路，其中Q值可達數萬(wàn)，其頻率穩定度可達10-5～10-6。電路如圖5-1所示。在圖1-1中，晶振JT和C1、C2、C3、VT1構成電容三點(diǎn)式振蕩電路，振蕩頻率為3.579MHz。
電路中的R1、R2、R3決定晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)，其中R1可以調整。
在對靜態(tài)工作點(diǎn)設置時(shí)，先設定集電極電流ICQ，一般ICQ取0.5～4mA，ICQ太大會(huì )引起輸出波形失真，產(chǎn)生高次諧波。設晶體管β=60，ICQ=2mA，UEQ=（1/2~1/3）Ucc，則可算出R1，R2，R3。
如按下圖所示安裝電路，在調試中UBQ=8.3V，UEQ=7.7V。
（三）
所示為小功率發(fā)射機的晶體管振蕩電路。
它是由載波振蕩器VT1和調制放大器VT2及電源供電電路等部分構成的。
vri是載波振蕩晶體管，它的基極電路中接有LC并聯(lián)諧振電路，微調CT可以改變載波信號的頻率，振蕩信號由VT1的發(fā)射極輸出，經(jīng)耦合電容器送往調制放大晶體管VT2的基極。
調制信號經(jīng)電容器（4.7yF）、電阻器（4.7kfl）和耦合電容器（IOOpF）也加到調制放大晶體管VT2的基極。載波信號和調制信號在VT2中進(jìn)行幅度調制（AM），然后由集電極輸出，從天線(xiàn)上將信號發(fā)射出去。
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