電感的升壓、降壓原理圖文分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-09-03
FET為ON時(shí)的電路圖
在FET為ON的時(shí)間里，L積蓄電流能的同時(shí)為輸出供電。虛線(xiàn)表示的電流路徑雖是微小的漏電流，但會(huì )使輕負載的效率變差。
FET為OFF時(shí)的電路圖
在FET為OFF時(shí)，L要保持OFF前的電流值，使SBD為ON。此時(shí)，由于線(xiàn)圈的左端被強制性地降到0V以下，VOUT的電壓下降，即降壓電路原理。
由此，FET的ON時(shí)間長(cháng)L里積蓄的電流能越大，越能獲得大功率電源，降壓的幅度越小。
降壓時(shí)，由于FET為ON時(shí)也要給輸出供電，所以不需要限制占空比的最大值。
降壓式DC/DC 變換器基本工作原理電路如圖所示。VT1為開(kāi)關(guān)管，當VT1導通時(shí)，輸入電壓Vi通過(guò)電感L1向負載RL供電，與此同時(shí)也向電容 C2充電。在這個(gè)過(guò)程中，電容C2 及電感L1中儲存能量。
當VT1截止時(shí)，由儲存在電感LI 中的能量繼續向RL供電，當輸出電壓要下降時(shí)，電容C2中的能量也向RL放電，維持輸出電壓不變。二極管VD1為續流二極管，以便構成電路回路。
輸出的電壓Vo經(jīng)R1和R2 組成的分壓器分壓，把輸出電壓的信號反饋至控制電路，由控制電路來(lái)控制開(kāi)關(guān)管的導通及截止時(shí)間，使輸出電壓保持不變。
控制電路和VTI，VDI是一體的都是RT8024
FET為ON時(shí)的電路圖
在FET為ON的時(shí)間里在L積蓄電流能。虛線(xiàn)表示的電流路徑雖是微小的漏電流，但會(huì )使輕負載的效率變差。
FET為OFF時(shí)的電路圖
在FET為OFF時(shí)，L 要保持OFF前的電流值，相當于在輸入回路增加了一個(gè)“電源”。
由于線(xiàn)圈的左端被強制性固定于VIN，因此輸出VOUT的電壓要大于VIN, 即升壓電路原理。由此，FET的ON時(shí)間越長(cháng)(FET的觸發(fā)占空比D越大)，L里積蓄的電流能越大，越能獲得電源功率，于是升壓就越高。
但是，FET 的ON時(shí)間太長(cháng)的話(huà)，給輸出側供電的時(shí)間就極為短暫，FET為ON時(shí)的損失也就增大，變換效率變差。因此，通常要限制占空比的最大值，不超過(guò)適宜的占空比D。
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