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晶閘管性能判別電路原理分析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-09-02 

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晶閘管性能判別電路原理分析-KIA MOS管


晶閘管簡(jiǎn)介

晶閘管(SCR),舊稱(chēng)可控硅,是一種可控型整流元件,其電路符號A為陽(yáng)極,K為陰極,G為控制極。


晶閘管性能判別


晶閘管性能鑒別

(1)判別電極用紅表棒固定接觸任一電極不變,黑表棒分別接觸其余兩個(gè)電極,如果接觸一個(gè)極時(shí)一次顯示0.2~0.8V,接觸另一個(gè)電極時(shí)顯示溢出,則紅表棒所接的為G,顯示溢出時(shí)黑表棒所接的為A,另一極為K。


若測得不是上述結果,需將紅表棒改換電極重復以上步驟,直至得到正確結果。


(2)判別觸發(fā)特性數字萬(wàn)用表二極管擋所能提供的測試電流僅有1mA左右,故只能用于考察小功率單向晶閘管的觸發(fā)能力。


操作方法如下:用紅表棒固定接觸A不變,黑表棒接觸K,此時(shí)應顯示溢出(關(guān)斷狀態(tài))。接著(zhù)將紅表棒在保持與A接通的前提下去碰觸G,此時(shí)顯示值一般在0.8V以下(轉為導通狀態(tài))。隨即將紅表棒脫離控制極,導通狀態(tài)將繼續維持。


如果反復多次測試都是如此,說(shuō)明管子觸發(fā)靈敏可靠。這種方法只適用于維持電流較小的管子。


晶閘管性能判別電路

晶閘管性能判別電路如圖所示。


電路工作原理

按圖所示的方法接好被測試晶閘管VS后,接通交流電源。220V交流電壓經(jīng)VD1~VD4整流以及電容器C1濾波后,輸出直流電壓并加在被測試晶閘管兩端。


與此同時(shí),直流電壓還通過(guò)電阻器R2對電容器C2充電,為檢查晶閘管作好準備。


晶閘管性能判別


操作開(kāi)關(guān) SA3,使其接點(diǎn)(2—7)斷開(kāi),接點(diǎn)(1—7)接通,晶閘管的門(mén)極G獲得觸發(fā)電壓而導通,EL1、EL2 同時(shí)點(diǎn)亮。如果操作開(kāi)關(guān) SA3 后,EL1、EL2 沒(méi)有點(diǎn)亮,則表示晶閘管已損壞。


如果第一步檢查通過(guò),可將 SA1 打到另一擋(2、3),切斷直流電源的供電回路,電容器C1儲存的能量通過(guò)電阻器R1釋放,EL1、EL2熄滅。


然后將選擇開(kāi)關(guān)SA2打到右邊,即接點(diǎn)(2—5)、(1—6)接通,使SA1開(kāi)關(guān)回到初始位置(1、4)。因此,晶閘管VS獲得反向直流電壓。


在晶閘管未加觸發(fā)電壓的情況下,如果 EL1、EL2 點(diǎn)亮,則表示晶閘管不能承受300V 反向電壓。按照指標規定耐壓應能達到或超過(guò) 300V 而實(shí)際不能承受時(shí),視被測試管為不合格。


本電路不僅可以用來(lái)測試單向晶閘管,還可以通過(guò)操作 SA2 對雙向晶閘管提供兩個(gè)象限的測試。當SA2在“1”位時(shí),進(jìn)行第一象限測試;當SA2在“2”位時(shí),進(jìn)行第三象限測試。判別方法和單向晶閘管一樣。


注意事項

① 由于本電路用來(lái)測試的是大功率、高電壓晶閘管,因此要注意測試安全。當需要操作晶閘管時(shí),應對電容器C1放電。在測試過(guò)程中,不要用手直接搖動(dòng)被測試器件。


② 如果要用本電路對低電壓、大功率晶閘管的性能進(jìn)行測試,則可在交流電源輸入端加入一臺自耦調壓器,選擇合適的電壓后再進(jìn)行測試。圖中的電阻可根據實(shí)際需要作相應的變更。



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