電源IC的損耗如何進(jìn)行計算？詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-08-24
電源IC的功率損耗計算示例（內置MOSFET的同步整流型IC）
圖中給出了從“電源IC的損耗”這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。本次以輸出段的MOSFET內置型IC為例進(jìn)行說(shuō)明。
相關(guān)內容見(jiàn)圖中藍色所示部分。電感除外（因為電感是外置的）。如果計算此前的說(shuō)明中使用的控制器型IC的損耗的話(huà)，是不包括MOSFET和電感損耗的。
要計算損耗時(shí)，需要有單獨計算時(shí)公式各項相應的值。原則上使用技術(shù)規格書(shū)中給出的值。
一般情況下，技術(shù)規格書(shū)的標準值（即IC參數的值）中，包括最小值、典型值、最大值。有些參數只有最小值或最大值，或只有典型值，并非所有的參數都具備這三種值。
關(guān)于應該使用這些值的哪個(gè)值，可能會(huì )有不同的看法，但我認為應該考慮到值的變化/波動(dòng)，計算最差條件下的損耗。
此次將使用右側給出的值。這些均是以最差條件為前提的值。計算步驟是先按照每種損耗的公式計算各自的損耗，然后再將損耗結果相加。
在本示例中，電源IC的功率損耗約為1W。只要用于計算的數據完整，功率損耗計算并不難。
關(guān)鍵要點(diǎn)：
1.電源IC的功率損耗是單個(gè)損耗的總和。
2.關(guān)于計算所用的值，雖然有很多種看法，但應該通過(guò)計算最差條件下的損耗進(jìn)行確認。
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