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mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET

信息來(lái)源：本站　日期：2017-07-06　

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MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續的趨向．在集成電路中，較小的器件尺寸可到達較高的器件密度，此外，較短的溝道長(cháng)度町改善驅動(dòng)電流（ID~1/L）以及工作時(shí)的特性，但是，由于電子器件尺寸的縮減，溝道邊緣（如源極、漏極及絕緣區邊緣）的擾動(dòng)將變得愈加重要，因而器件的特性將不再恪守長(cháng)溝道近似的假定．



MOSFET按比例減少標準


當器件尺寸縮減時(shí)，必需將短溝道效應降至最低水平，以確保正常的器件特性及電路工作，在器件按比例減少設計叫需求一些原則，一個(gè)扼要維持長(cháng)溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓，除上一按比例減少要素k(>1)，如此內部電場(chǎng)將堅持好像長(cháng)n溝道MOSFET普通，此辦法稱(chēng)為定電場(chǎng)按比例減少.


不同器件參數與電路特性因子的定電場(chǎng)按比例減少的標準，隨器件尺寸的縮減，其電路性能（速度以及導通時(shí)的功率損耗）得到增強．但是，在實(shí)踐的IC制造中，較小器件的內部電場(chǎng)常常被迫增加而很難堅持固定．這主要是由于一些電壓因子（如電源供給、閾值電壓等）無(wú)法恣意縮減，由于亞閾值擺幅是無(wú)法被按比例減少的，所以，假若閾值電壓過(guò)低，則關(guān)閉態(tài)(offstate)(VG=0)的漏電流將會(huì )顯著(zhù)增加，因而，待機功率(standbypower）損耗也將隨之上升。經(jīng)過(guò)按比例減少標準，方能制造出具有溝道長(cháng)度短至20nm、十分高的跨導（>1000ms/mm)以及合理的亞閾值擺幅(約120mV/decade)的MOSFET，



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