雙管自激振蕩電路分析圖文詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-08-11
自激振蕩常用于正弦波發(fā)生器、交流控制信號等。自激振蕩的應用于許多電路，如正弦波振蕩器廣泛用于各種電子設備中，在模擬電子技術(shù)中屬于必不可少的一種元件。
它是一種不需要輸入信號控制就能自動(dòng)地將直流能量轉換為特定頻率和振幅的正弦交變能量的電路。
如圖1是雙管自激振蕩器電路。
電源接通，R1給Q1提供基極電流、Q1導通。接著(zhù)，Q1集電極輸出電流驅動(dòng)Q2、Q2導通，于是Q2集電極接地。
此時(shí)，Q1基極增加了一條經(jīng)C1 、RP到地低阻通路，Q1基極輸出電流增大，導通愈甚，進(jìn)而Q2快速飽和導通——兩管互為對方提供基極驅動(dòng)電流，控制信號為正反饋。
根據三極管的特性可知，Q1基極只比電源低一個(gè)PN結壓降，但其集電極比地高一個(gè)PN結壓降，因此在C1充電過(guò)程中，Q1工作于放大狀態(tài);與此同時(shí)，Q2由淺導通很快渡越到飽和導通。
隨著(zhù)C1 、RP支路充電過(guò)程持續，C1壓降增大，充電電流減小，Q1輸出電流下降，進(jìn)而不能驅動(dòng)、維持Q2的深度飽和，Q2的集電極電壓上升，C1 、RP支路進(jìn)入放電過(guò)程。
由于正反饋信號的控制作用，Q1很快截止，Q2也很快截止。隨著(zhù)C1 、RP放電過(guò)程的持續，C1壓降減小，放電電流減小，Q1基極電壓逐漸下降，直到Q1再次導通，進(jìn)入下一個(gè)循環(huán)…
如圖2所示，上側圖是Q1集電極波形，其最高電壓為一個(gè)PN結壓降；下側圖是Q1基極波形，其最高電壓比電源低一個(gè)PN結壓降。
如圖3所示，上側圖是Q2基極波形，即Q1集電極波形（最高電壓為一個(gè)PN結壓降），下側圖是Q2集電極波形：當Q2截止時(shí)，其電壓為電源，當Q2導通時(shí)，其電壓約為零。
在圖2、3中，揚聲器實(shí)為10Ω電阻，若換成6Ω揚聲器，波形如圖4、5所示。因揚聲器是感性元件，在Q2截止時(shí)兩管的集電極波形都有過(guò)沖（尖峰電壓）。
需要指出的是：調節RP，占空比和頻率都發(fā)生改變(305.6Hz)，如圖6所示。
與圖1功能相同，但電路結構不同的電路，如圖7所示。這種元件相同、功能相同但結構不同的電路叫對偶電路。
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