半導體常用名詞解釋-KIA MOS管

半導體名詞解釋

晶面指數：將晶面截距倒數之比簡(jiǎn)約為互質(zhì)整數之比，所得的互質(zhì)整數即為晶面指數。

空間點(diǎn)陣：構成晶體節點(diǎn)的集合。

離子晶體：正負離子交替排列在晶格格點(diǎn)上，依靠離子鍵結合成的晶體稱(chēng)為離子晶體。

原子晶體：原子交替排列在晶格格點(diǎn)上，依靠共價(jià)鍵結合成的晶體稱(chēng)為原子晶體。

佛侖克爾缺陷：原子脫離格點(diǎn)后，同時(shí)形成空格點(diǎn)和間隙原子，空格點(diǎn)數等于間隙原子數，這稱(chēng)為佛侖克爾缺陷。

肖脫基缺陷：原子或離子離開(kāi)原來(lái)所在的格點(diǎn)位置而形成的只有空位而不存在間隙原子的點(diǎn)缺陷。

施主能級：被施主雜質(zhì)束縛著(zhù)的電子的能量狀態(tài)，稱(chēng)為施主能級。

受主能級：被受主雜質(zhì)束縛著(zhù)的電子的能量狀態(tài)，稱(chēng)為施主能級。

本征半導體：完全沒(méi)有雜質(zhì)和缺陷的理想純凈和完整的半導體。

導帶：在絕對零度溫度下，半導體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶，受到光電注入或熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì )越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶。

價(jià)帶：半導體或絕緣體中，在0K時(shí)能被電子占滿(mǎn)的最高能帶。

有效質(zhì)量：粒子在晶體中運動(dòng)時(shí)具有的等效質(zhì)量。

遷移率：載流子(電子和空穴)在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度。

雜質(zhì)散射：載流子運動(dòng)到電離雜質(zhì)附近時(shí)，由于庫侖勢場(chǎng)的作用，就使載流子運動(dòng)方向發(fā)生改變。

費米能級：費米能級是絕對零度時(shí)電子的最高能級。

準費米能級：在非平衡狀態(tài)下，由于導帶和價(jià)帶在總體上處于非平衡，因此就不能用統一的費米能級來(lái)描述導帶中的電子和價(jià)帶中的空穴按能量的分布問(wèn)題。但由于導帶中的電子和價(jià)帶中的空穴按能量在各自的能帶中處于準平衡分布，可以有各自的費米能級稱(chēng)為準費米能級。

載流子產(chǎn)生率：?jiǎn)挝粫r(shí)間單位體積內產(chǎn)生的電子-空穴對數。

載流子復合率：?jiǎn)挝粫r(shí)間單位體積內復合掉的電子-空穴對數。

非平衡載流子：處于非平衡狀態(tài)的半導體，其載流子比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。

直接復合：電子在導帶和價(jià)帶之間直接躍遷而產(chǎn)生復合。

間接復合：電子和空穴通過(guò)禁帶的能級進(jìn)行復合。

陷阱能級：SiO4的能級(導帶底以下0.16ev處)叫陷阱能級。

陷阱效應：雜質(zhì)或缺陷能收容非平衡載流子的作用稱(chēng)為陷阱效應。

MOS管原廠(chǎng)：

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機驅動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長(cháng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶(hù)需求，不斷研發(fā)創(chuàng )新，為客戶(hù)提供綠色、節能、高效的功率半導體產(chǎn)品。

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