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高頻電容簡(jiǎn)析以及與低頻電容區別-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-08-02 

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高頻電容簡(jiǎn)析以及與低頻電容區別-KIA MOS管


高頻電容

高頻電容基本上是由無(wú)源元件、有源器件和無(wú)源網(wǎng)絡(luò )組成的。高頻電路中使用的元器件與低頻電路中使用的元器件頻率特性是不同的。高頻電路中無(wú)源線(xiàn)性元件主要是電阻(器)、電容(器)和電感(器)。


高頻電容 低頻電容


高頻電容特點(diǎn):

1. 高Q值C0G系列MLCC,屬于微波陶瓷多層片式瓷介電容器;


2. 采用順電體微波介質(zhì)材料;


3. 具有極高的穩定性,其電容量幾乎不受時(shí)間、交流、直流信號的影響;


4. 具有極低的介質(zhì)損耗,即極高的Q值,超低的ESR。


5. 適用于要求Hi-Q、超低ESR的射頻微波線(xiàn)路。


高頻電容 低頻電容


高頻電容和低頻電容適用場(chǎng)合

高頻電容適合用于高頻濾波的場(chǎng)合--比如電腦主板和開(kāi)關(guān)電源的二次輸出整流;


低頻電容適合用于低頻濾波的場(chǎng)合--比如交流電整流以后的濾波。


高頻電容和低頻電容區別

任何制造出來(lái)的電容器都不是理想的電容器,都存在電介質(zhì)損耗,電介質(zhì)損耗小的電容器適用于高頻電路,電介質(zhì)損耗大的只能工作于低頻,這就叫電容器的頻率特性;


電容器頻率特性是指電容器工作在交流電路(尤其在高頻電路中)時(shí),其電容量等參數將隨著(zhù)頻率的變化而變化的特性。


電容器在高頻電路工作時(shí),構成電容器材料的介電常數將隨著(zhù)工作電路頻率的升高而減小。此時(shí)的電損耗也將增加。不同種類(lèi)的電容器介電參數不一樣,它們在很多情況下都不可互相替代。


不是產(chǎn)生高頻或低頻,而是電容器適用于高頻或低頻電路。獨石電容、紙介電容、電解電容、低頻瓷介---也稱(chēng)為鐵電電容、滌綸電容(一般是容量較大,體積較小),因介質(zhì)損耗大,不適用于高、中頻電路。


可用于低頻、電源濾波等電路中;云母電容、聚苯乙烯電容、高頻瓷介、空氣介質(zhì)電容等(一般是容量較小,相對體積較大),介質(zhì)損耗小,適合在高頻、中頻電路中使用。



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