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分析縱向晶體管與橫向晶體管原理及區別-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-07-30 

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分析縱向晶體管與橫向晶體管原理及區別-KIA MOS管


晶體管簡(jiǎn)介

晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。


與普通機械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗室中的切換速度可達100GHz以上。


晶體管主要分為兩大類(lèi):雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應晶體管(FET)。


晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。


晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。


縱向晶體管 橫向晶體管


晶體管的優(yōu)越性

同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:


1、構件沒(méi)有消耗

無(wú)論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。


隨著(zhù)材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長(cháng)100到1000倍,稱(chēng)得起永久性器件的美名。


2、消耗電能極少

僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺晶體管收音機只要幾節干電池就可以半年一年地聽(tīng)下去,這對電子管收音機來(lái)說(shuō),是難以做到的。


3、不需預熱

一開(kāi)機就工作。例如,晶體管收音機一開(kāi)就響,晶體管電視機一開(kāi)就很快出現畫(huà)面。電子管設備就做不到這一點(diǎn)。開(kāi)機后,非得等一會(huì )兒才聽(tīng)得到聲音,看得到畫(huà)面。顯然,在軍事、測量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢的。


4、結實(shí)可靠

比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動(dòng),這都是電子管所無(wú)法比擬的。


另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡(jiǎn)便,有利于提高元器件的安裝密度。


集成NPN晶體管

在雙極型線(xiàn)性集成電路中NPN晶體管的用量最多,所以它的質(zhì)量對電路性能的影響最大。集成NPN晶體管的結構示意圖如圖2—69所示。


它是在P型襯底上擴散高摻雜的N+型掩埋層,生長(cháng)N型外延層,擴散P型基區、N+型發(fā)射區和集電區而制成的。其中N+型掩埋層的作用是為了減小集電區的體電阻。


縱向晶體管 橫向晶體管


縱向晶體管與橫向晶體管原理、區別

(1)縱向PNP管:

縱向PNP管也稱(chēng)襯底管,由于結構的關(guān)系,內部的載流子沿著(zhù)縱向運動(dòng)。


這種管子的特點(diǎn)是,管子的基區寬度WB可以準確地控制,而且做得很薄。因此,縱向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α=0.995-0.9998)。


是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著(zhù)晶體管斷面的垂直方向運動(dòng)的,故稱(chēng)為縱向PNP管。


這種管子的基區可準確地控制使其很薄,因此它的電流放大系數較大。由于縱向PNP管的集電極必須接到電路中電位的最低點(diǎn),因而限制了它的應用。在電路中它通常作為射極跟隨器使用。


縱向晶體管 橫向晶體管


(2)橫向PNP管:

這種結構管子的載流子是沿著(zhù)晶體管斷面的水平方向運動(dòng)的,故稱(chēng)為橫向PNP管。


由于受工藝限制,基區寬度不可能很小,所以它的值相對較低,一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點(diǎn)是:


發(fā)射結和集電結都有較高的反向擊穿電壓,所以它的發(fā)射結允許施加較高的反壓;另外它在電路中的連接方式不受任何限制,所以比縱向PNP管有更多的用途。它的缺點(diǎn)是結電容較大,特征頻率fT較低,一般為幾~幾十兆赫。


在集成電路設計中,往往把橫向PNP和縱向PNP管巧妙地接成復合組態(tài),構成性能優(yōu)良的放大器。如鏡像電源、微電流源、有源負載、共基—共射、共基—共集放大器等。



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