MODFET的基本原理

調制摻雜場(chǎng)效應晶體管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ．MODFET)為異質(zhì)結構的場(chǎng)效應器件．其他常用到的名稱(chēng)有高電子遷移率晶體管(high electron mobility lran-sistor．HEMT)、二維電子氣場(chǎng)效應晶體管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor．TEGFET)

圖7，1、6為傳統MODFET的透視圖．MODFET的特征是柵極下方的異質(zhì)結結構以及調制摻雜層，對于圖7：．16中的器件來(lái)說(shuō)．AIGaAs為一寬禁帶半導體，而GaAs則為窄禁帶半導體．這兩種半導體是被調制摻雜的，也就是說(shuō)，除了在極窄的區域如中并無(wú)摻雜外

AIGaAs是被摻雜的，而GaAs glil未破摻雜．AIGaAs中的電子將擴散到無(wú)摻雜的GaAs中.