場(chǎng)效應管晶體管工作原理
信息來(lái)源：本站 日期：2017-06-29
解MESFET的工作原理，我們考慮柵帔下方的部分，如圖7.lo(b)所示．我們將源極接地，而柵極電壓與漏極電壓是相對源極測量而得．正常工作情形下，柵極電壓為零或是被iju以反向偏醫，而漏搬電壓為零或是被加以正向偏壓．也就是說(shuō)'VG≤0而VD≥0．由于溝道為n型材料，此器件被稱(chēng)為n溝道MESFET．在大多數的應用中是采用n溝道MESFET而非p溝道MESFET,這是肉為n溝道器件具有較高的電子遷移率.
溝道電阻可被表示為 ：
其中ND是施主濃度.A[=z（a一W)]是電流流動(dòng)的截面積，而w是肖特基勢壘的耗盡區寬度.
當沒(méi)有外加柵極電壓且VD很小時(shí)，如圖7.11(a．)所示，溝道中有很小的漏極電流ID流通．此電流大小為VD/R.其中R為式（24）所表示的溝道電阻．因此，電流隨漏極電壓呈線(xiàn)性變化．當然，對任意漏極電壓而言，溝道電壓足由源極端的零漸增為漏極端的VD．因此，沿著(zhù)源極到漏極肖特基勢壘的反向偏壓漸強．當VD增加．W也隨著(zhù)增加而電流流動(dòng)的平均截面積減小，溝道電阻R也因此增加，這使得電流以較緩慢的速率增加．
隨營(yíng)漏極電壓的持續增加，最終將使得耗盡區接觸到半絕緣襯底，如圖7．ll(b)所示．此現象的發(fā)生是當漏傲9Vd有W=a．由式（7),令V=-VDsat,可以求出相對應的漏極電壓值，稱(chēng)為飽和電壓(sat uration voltage)VDsat:
在此漏極電壓時(shí)，源極和漏投將會(huì )被夾斷(pinched off)或說(shuō)是被反向偏壓的耗盡區完全分隔開(kāi)．圖7，ll(b)中的位置P即稱(chēng)為夾斷點(diǎn)，在此點(diǎn)有o個(gè)很大的漏極電流稱(chēng)為飽和電流(saturation current)IDsat，，可泣過(guò)耗盡區，這與注入載流子到雙極猁品體管的集基結反向偏壓時(shí)所形成的耗盡區的情形相似．
對n溝道MESFET而言，柵極電壓相對于源極為負值，所以我們在式(26)以及其后的式子中，使用VG的絕對值．由式(26)可以看出，外加的柵極電壓VG使得開(kāi)始發(fā)生夾斷時(shí)所需的漏極電壓減小了VG的值為
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