場(chǎng)效應管型號識別

場(chǎng)效應管概念:

場(chǎng)效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管.由多數載流子參與導電,也稱(chēng)為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.

場(chǎng)效應管-特點(diǎn):

具有輸入電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn),現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.

作用:

場(chǎng)效應管可應用于放大.由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān). 場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源.

場(chǎng)效應管的分類(lèi):

場(chǎng)效應管分結型、絕緣柵型(MOS)兩大類(lèi)

按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.

按導電方式:耗盡型與增強型,結型場(chǎng)效應管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應管既有耗盡型的,也有增強型的。

場(chǎng)效應晶體管可分為結場(chǎng)效應晶體管和MOS場(chǎng)效應晶體管,而MOS場(chǎng)效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類(lèi).見(jiàn)下圖 :

場(chǎng)效應管的主要參數：

Up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓

Idss — 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.

Ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導通時(shí)的柵極電壓.

gM — 跨導.是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場(chǎng)效應管放大能力的重要參數.

IDSM — 最大漏源電流.是一項極限參數,是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應管的工作電流不應超過(guò)IDSM

結型場(chǎng)效應管的管腳識別

BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必須小于BVDS.

PDSM — 最大耗散功率,也是一項極限參數,是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應管實(shí)際功耗應小于PDSM并留有一定余量.

判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔,用萬(wàn)用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為P溝道.

判定源極S、漏極D:

在源-漏之間有一個(gè)PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極.用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極.

常效應管與晶體三極管的比較

場(chǎng)效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場(chǎng)效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.

場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電,所以稱(chēng)之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱(chēng)之為雙極型器件.

有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.

場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用.

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