小尺寸MOS器件模型/MOS器件模型KIA-MO管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-12-29
縮小MOS器件的尺寸是推進(jìn)LSI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m左右),因而習慣上有套適用它們的物理模型和計算方法,所得的結果與大尺寸器件的實(shí)測特性相符合。
這種模型和計算方法叫做逐次溝道近似(Gradual Channel Approximation),簡(jiǎn)稱(chēng)為GCA。但是,它對
vLS中的小尺寸器件不適用,必須進(jìn)行修正本章將闡明MOS小尺寸器件的各種物理效應(包括一級和
級效應),并對GCA作相應的各項修正。小尺寸MOs器件是VLSI中最基本的元件,必須了解其基本的
物理和電學(xué)特性,建立起符合實(shí)際且較簡(jiǎn)便的計算模型公式,這是正確進(jìn)行計算機電路模擬的基礎,
也是進(jìn)行VLSI設計計算的基本工具。實(shí)際上,計算機電路模擬的精度很大程度上決定于器件模型的
精度。因此,建立一個(gè)較精確的、而且便于計算的器件模型對VLSI設計是至關(guān)重要的,這也是本書(shū)
首先介紹器件模型的原因同時(shí),由于目前國際上普遍使用美國加州大學(xué)伯克利(Berkele)分校開(kāi)發(fā)的、
SPICE電路模擬程序,所以我們也將結合它給出的小尺寸MOS器件模型進(jìn)行一定的介紹及分析討論,
并指出它的不足,以利于那些用該程序的VLSI設計者對它有較正確的認識。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
