好文必看|MOS電容結構圖文解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-12-10
MOS結構具有Q隨V變化的電容效應，形成MOS電容。
絕緣層是理想的，不存在任何電荷,絕對不導電;
半導體足夠厚，不管加什么柵電壓，在到達接觸點(diǎn)之前總有一個(gè)零電場(chǎng)區(硅體區)
絕緣層與半導體界面處不存在界面陷阱電荷;
金屬與半導體之間不存在功函數差。
負柵壓:多子的積累，體內多子順電場(chǎng)方向被吸引到S表面，
能帶變化:空穴在表面堆積，能帶上彎
絕緣層是理想的，不存在任何電荷;Si和SiO2界面處不存在界面陷阱電荷;
金半功函數差為0。
系統熱平衡態(tài)，能帶平，表面凈電荷為0。
小的正柵壓:多子耗盡，表面留下帶負電的受主離子，不可動(dòng)，且由半導體濃度的限制，形成負的空間電荷區。
能帶變化:P襯表面正空穴耗盡，濃度下降，能帶下彎，Xd:空間電荷區(耗盡層、勢壘區)的寬度。
注意:正柵壓↑，增大的電場(chǎng)使更多的多子耗盡，Xd↑,能帶下彎增加。
大的正柵壓:能帶下彎程度↑，表面EFi到EF下，表面具n型。
P襯表面Na-面電荷密度↑，同時(shí)P襯體內的電子被吸引到表面，表面出現電子積累，反型層形成。
注意:柵壓↑反型層電荷數增加，反型層電導受柵壓調制。閾值反型后，Xd↑最大值Xdt不再擴展。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
