元器件降額|MOS管二極管等器件降額規范-KIA MOS管

MOS管二極管等器件降額規范

二極管降額規范：二極管按功能可分為普通、開(kāi)關(guān)、穩壓等類(lèi)型二極管;按工作頻率可分為低頻、高頻。

二極管;按耗散功率(或電流)可分為小功率(小電流)大功率(大電流)二極管。所有二極管需要降額的參數是基本相同的。

高溫是對二極管破壞性最強的應力，所以對二極管的功率和結溫必須進(jìn)行降額;電壓擊穿是導致二極管失效的另一主要因素，所以二極管的電壓也需降額。

二極管最高結溫的降額，根據二極管相關(guān)詳細規范給出的最高結溫Tjmax而定，降額后的最高結溫見(jiàn)表：

注:

1、所有降額是在結溫降額滿(mǎn)足的情況下的要求。

2、參數額定值需要從datasheet 中查詢(xún)。

3、如果參數額定值與溫度、時(shí)間無(wú)關(guān)，可直接降額。

4、如果參數額定值與溫度有關(guān)，則選取結溫最高時(shí)的參數進(jìn)行降額。

5、如果與時(shí)間有關(guān)，則通過(guò)查找datasheet對應的時(shí)間和溫度曲線(xiàn)，根據實(shí)際情況進(jìn)行降額。

三極管mos管降額規范：

1.概述

晶體管按結構可分為雙極型晶體管、場(chǎng)效應晶體管（mos管）、單結晶體管等類(lèi)型;按工作頻率可分為低頻晶體管和高頻晶體管;按耗散功率可分為小功率晶體管和大功率晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)功率晶體管)。

所有晶體管的降額參數是基本相同的，它們是電壓、電流和功率。但對MOS型場(chǎng)效應晶體管、 功率晶體管的降額又有特殊的要求。高溫是對晶體管破壞性最強的應力，因此晶體管的功耗和結溫須進(jìn)行降額;

電壓擊穿是導致晶體管失效的另一主要因素，所以其電壓須降額。功率晶體管有二次擊穿的現象，因此要對它的安全工作區進(jìn)行降額。

2.注意事項

（1）功率晶體管在遭受由于多次開(kāi)關(guān)過(guò)程所致的溫度變化沖擊后會(huì )產(chǎn)生“熱疲勞”失效。使用時(shí)要根據功率晶體管的相關(guān)詳細規范要求限制殼溫的最大變化值。

（2）預計的瞬間電壓峰值和工作電壓峰值之和不得超過(guò)降額電壓的限定值。

（3）為保證電路長(cháng)期可靠的工作，設計應允許晶體管主要參數的設計容差為:

電流放大系數:±15% (適用于已經(jīng)篩選的晶體管)±30% (適用于未經(jīng)篩選的晶體管)

漏電流:+200%

開(kāi)關(guān)時(shí)間:+20%

飽和壓降:+15%

晶體管最高結溫的降額

晶體管最高結溫的降額，根據晶體管相關(guān)詳細規范給出的最高結溫Tjmax而定，降額后的最高結溫見(jiàn)表：

功率晶體管安全工作區的降額

半導體光電器件降額規范:

1.概述

半導體光電器件主要有三類(lèi):發(fā)光、光敏器件或兩者的結合。發(fā)光類(lèi)器件主要有發(fā)光二極管、發(fā)光數碼管，光敏類(lèi)器件有光敏二極管、光敏三極管，常用的光電組合器件是光電耦合器，它由發(fā)光二極管和光敏三極管組成。

高結溫和結點(diǎn)高電壓是半導體光電器件主要的破壞性應力，結溫受結點(diǎn)電流或功率的影響，所以對半導體光電器件的結溫、電流或功率均需進(jìn)行降額。

2.應用指南

（1）發(fā)光二極管驅動(dòng)電路必須限制電流，通常用一個(gè)串聯(lián)的電阻來(lái)實(shí)現。

（2）一般不應采用經(jīng)半波或全波整流的交流正弦波電流作為發(fā)光二極管的驅動(dòng)電流。如果確要使用，則不允許其電流峰值超過(guò)發(fā)光二極管的最大直流允許值。

（3）在整個(gè)壽命期內，驅動(dòng)電路應允許光電耦合器電流傳輸比在降低15%的情祝下仍能正常工作。

3.降額準則

半導體光電器件電壓、電流見(jiàn)表。其中:

a)電壓從額定值降額;

b)電流從額定值降額;

最高結溫降額根據光電器件相關(guān)詳細規范給出的最高結溫Tjmax而定。

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