MOSFET導通過(guò)程圖文詳細分析（快速了解）

MOSFET導通過(guò)程詳解，MOSFET簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。

（一）MOSFET開(kāi)通過(guò)程

T0~T1：驅動(dòng)通過(guò)Rgate對Cgs充電，電壓Vgs以指數的形式上升。

T1~T2：Vgs達到MOSFET開(kāi)啟電壓，MOSFET進(jìn)入線(xiàn)性區，Id緩慢上升，至T2時(shí)刻Id到達飽和或是負載最大電流。在此期間漏源極之間依然承受近乎全部電壓Vdd。

T2~T3：T2時(shí)刻 Id達到飽和并維持穩定值，MOS管工作在飽和區，Vgs固定不變， 電壓Vds開(kāi)始下降。此期間Cgs不再消耗電荷， VDD開(kāi)始給Cgd提供放電電流。

T3~T4： 電壓Vds下降到0V，VDD繼續給Cgs充電，直至Vgs=VDD，MOSFET完成導通過(guò)程。

重要說(shuō)明：

Vgs的各個(gè)階段的時(shí)間跨度同柵極消耗電荷成比例（因△Q = IG△T，而IG在此處為恒流源之輸出）。

T0 ~ T2跨度代表了Ciss（VGS+ CGD）所消耗的電荷，對應于器件規格書(shū)中提供的參數Qgs(Gate to Source Charge)。

T2 ~ T3跨度代表了CGD（或稱(chēng)為米勒電容）消耗的電荷，對應于器件規格書(shū)中提供的參數Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。

T3時(shí)刻前消耗的所有電荷就是驅動(dòng)電壓為Vdd、電流為Id的MOSFET所需要完全開(kāi)通的最少電荷需求量。T3以后消耗的額外電荷并不表示驅動(dòng)所必須的電荷，只表示驅動(dòng)電路提供的多余電荷而已 。

開(kāi)關(guān)損失：在MOSFET導通的過(guò)程中，兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，那么這段時(shí)間里，MOS管損失的是電壓和電流的乘積，稱(chēng)為開(kāi)關(guān)損失。

導通損耗： MOS管在導通之后，電流在導通電阻上消耗能量，稱(chēng)為導通損耗。

整體特性表現：

驅動(dòng)電量要求：

△Q t0 ~ t4= (t4－t0 )IG = VG（CGS + CGD）+ VDDCGD

驅動(dòng)電流要求：

IG =△Q t0 ~ t4 /(t4－t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3－t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr)

驅動(dòng)功率要求：

Pdrive=∫t4－t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG（CGS+CGD）+ VDDCGD〕

驅動(dòng)電阻要求：

RG = VG / IG

一般地可以根據器件規格書(shū)提供的如下幾個(gè)參數作為初期驅動(dòng)設計的計算假設：

a) Qg(Total Gate Charge)：作為最小驅動(dòng)電量要求。

b)相應地可得到最小驅動(dòng)電流要求為IG ≈Qg/(td(on)+tr)。

c)Pdrive=VG *Qg作為最小驅動(dòng)功率要求。

d)相應地，平均驅動(dòng)損耗為VG *Qg*fs

二、MOSFET關(guān)斷過(guò)程

MOSFET關(guān)斷過(guò)程是開(kāi)通過(guò)程的反過(guò)程，如上圖示意。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助