MOS管知識-MOS管開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-09-04
人們對開(kāi)關(guān)電源的要求越來(lái)越高，要求開(kāi)關(guān)電源的體積越來(lái)越小，這也意味著(zhù)開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)頻率的提高，降低變換器的開(kāi)關(guān)損耗也變得極其重要。開(kāi)關(guān)頻率越高，每秒鐘開(kāi)關(guān)管改變狀態(tài)的次數就越多，開(kāi)關(guān)損耗也就越大。這次就來(lái)弄清楚在每次開(kāi)關(guān)轉換過(guò)程中所發(fā)生事件的基本時(shí)序。
(一)阻性負載時(shí)的開(kāi)關(guān)轉換過(guò)程：
圖中作為理想的N溝道MOS討論：其特性如下：
1、當Vgs=0時(shí)MOS管完全關(guān)斷；當Vgs高于參考地時(shí)，開(kāi)始導通。
2、漏極電流與柵極電壓之比定義為MOS的跨導g，以歐姆（ohm）為單位，即是歐姆的反寫(xiě)。
3、圖中假定MOS的跨導g為常數，等于1;
為了便于描述，賦予輸入電壓Vin=10V,外部電阻R=1ohm,柵極電壓隨時(shí)間線(xiàn)性增加時(shí)，即t=1s,2s,3s時(shí)，Vgs=1V,2V,3V。
分析過(guò)程如下：
(1).當t=0s時(shí)，Vgs=0V,MOS管關(guān)閉，Id=0A,MOS管漏極電壓Vd=10V;
(2).當t=1s時(shí)，Vgs=1V,由跨導方程可得Id=1A,則在1ohm電阻上的壓降為1V，MOS管漏極電壓Vd=10V-1V=9V；
(3).當t=2s時(shí),Vgs=2V, 由跨導方程可得Id=2A,則在1ohm電阻上的壓降為2V，MOS管漏極電壓Vd=10V-2V=8V；
柵極電壓隨時(shí)間線(xiàn)性增加到10s時(shí)，Vgs=10V,Id=10A,MOS管完全導通即Vd=0V.
則MOS管從關(guān)閉到導通的交叉時(shí)間tcross=10s,同時(shí)，漏極電流和漏極電壓他們是隨時(shí)間一直在線(xiàn)性變化的。
在轉換過(guò)程中，MOS管的損耗，可通過(guò)計算t=1,2,3,4…秒時(shí)的瞬時(shí)交叉乘積Vds(t)*Id(t).如果將這些點(diǎn)連成線(xiàn)，可以得到以下所示的鐘型曲線(xiàn)。因此，求解交叉損耗就是計算該曲線(xiàn)下方的凈面積。需要用到積分的方式去計算，通過(guò)求解交叉乘積對時(shí)間的積分，則阻性負載開(kāi)關(guān)管導通轉換過(guò)程中損耗為：E=1/6*Vin*Idmax*tcross（J）。
那么MOS管關(guān)斷轉換過(guò)程中所產(chǎn)生的損耗與導通轉換過(guò)程中產(chǎn)生的損耗是一樣的，盡管關(guān)斷轉換中電壓是上升，電流下降。所以每個(gè)周期都有導通和關(guān)斷的轉換過(guò)程。
當以fswHz的頻率重復開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)程，則單位時(shí)間內以熱形式損耗的總損耗。等于：Psw=1/3*Vin*Idmax*tcross*fsw (W)
（二）感性負載時(shí)的開(kāi)關(guān)轉換過(guò)程
當切換到感性負載時(shí)，需要考慮到電感的特性。當電流變化時(shí)，電壓保持不變；而當電壓變化時(shí)，電流保持不變。所以計算下圖感性負載時(shí)的交叉損耗可以有更簡(jiǎn)單的辦法。因為當一個(gè)參數(V 或者I)變化，另外一個(gè)參數不變，則可用平均電流Idmax/2和平均電壓Vin/2計算平均乘積。則可得出導通轉換時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗為：
E=(Vin/2*Idmax*tcross/2)+(Vin*Idmax/2*tcross/2)=1/2*Vin*Idmax*tcross
所以，以fswHz的頻率重復開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)程（導通和關(guān)斷行為）所產(chǎn)生的總損耗為：
Psw= Vin*Idmax*tcross*fsw (W)
開(kāi)關(guān)管導通時(shí)，開(kāi)關(guān)管壓降在許多情況是遠大于零的。導通時(shí)有顯著(zhù)的V*I損耗，這種特殊的損耗就是導通損耗Pcond.它與交叉損耗相當，甚至更大。
與交叉損耗不同，導通損耗與頻率無(wú)關(guān)。它取決于占空比，而不是頻率。例如，假設占空比為0.6，那么在1s的測量時(shí)間間隔內，開(kāi)關(guān)管處于導通狀態(tài)的凈時(shí)間為0.6s。因此，在這種情況下，導通損耗等于a*0.6,a是任意的比例常數。若是把頻率加倍，則1s內導通狀態(tài)的凈時(shí)間認為0.6s，則導通損耗仍然為a*0.6。但若是把占空比由0.6變?yōu)?.4，則導通損耗減少至a*0.4.所以，導通損耗是取決于占空比，而非頻率。
所以，MOS管導通損耗的簡(jiǎn)單方程如下：Pcond=Irms^2*Rds (W) Rds是MOS導通內阻。
所以，減少導通損耗最明顯的方法是降低二極管和開(kāi)關(guān)管的正向壓降。要使用低正向壓降的二極管，如肖特基二極管。同理，要使用低導通阻抗Rds的MOS管。但必須折中考慮。減少MOS管的Rds時(shí)，其開(kāi)關(guān)速度也會(huì )受到負面影響。
減小開(kāi)關(guān)損耗一方面要盡可能地制造出具有理想開(kāi)關(guān)特性的器件,另一方面利用新的線(xiàn)路技術(shù)改變器件開(kāi)關(guān)時(shí)期的波形,如:晶體管緩沖電路,諧振電路,和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)等。
1)晶體管緩沖電路(即加吸收網(wǎng)絡(luò )技術(shù))
早期電源多采用此線(xiàn)路技術(shù)。采用此電路, 功率損耗雖有所減小,但仍不是很理想。
①減少導通損耗在變壓器次級線(xiàn)圈后面加飽和電感, 加反向恢復時(shí)間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性, 限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
②減少截止損耗加R 、C 吸收網(wǎng)絡(luò ), 推遲變壓器反激電壓發(fā)生時(shí)間, 最好在電流為0時(shí)產(chǎn)生反激電壓,此時(shí)功率損耗為0。該電路利用電容上電壓不能突變的特性,推遲反激電壓發(fā)生時(shí)間。
為了增加可靠性,也可在功率管上加R 、C 。但是此電路有明顯缺點(diǎn):因為電阻的存在,導致吸收網(wǎng)絡(luò )有損耗 。
(2)諧振電路
該電路只改變開(kāi)關(guān)瞬間電流波形,不改變導通時(shí)電流波形。只要選擇好合適的L 、C ,結合二極管結電容和變壓器漏感, 就能保證電壓為0時(shí),開(kāi)關(guān)管導通或截止。因此, 采用諧振技術(shù)可使開(kāi)關(guān)損耗很小。所以, SWITCHTEC 電源開(kāi)關(guān)頻率可以做到術(shù)結構380kHz的高頻率。
(3)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)
該電路是在全橋逆變電路中加入電容和二極管。二極管在開(kāi)關(guān)管導通時(shí)起鉗位作用, 并構成瀉放回路, 瀉放電流。電容在反激電壓作用下, 電容被充電, 電壓不能突然增加, 當電壓比較大的時(shí)侯, 電流已經(jīng)為0。
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