7n80場(chǎng)效應管參數規格書(shū) 封裝詳情 技術(shù)支持 免費送樣-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-08-20
7n80場(chǎng)效應管參數型號概述，此功率MOSFET生產(chǎn)是使用SL先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)是特別定制的，以減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和轉換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開(kāi)關(guān)模式電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。
RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V
低柵電荷(典型27nC)
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dv/dt的能力
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