電源mos管驅動(dòng)電路如何選型 電源mos管優(yōu)質(zhì)品牌推薦-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-08-19
電源mos管，選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當的元器件，這在產(chǎn)品未來(lái)的使用過(guò)程中，將會(huì )充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用，確保設備得到最高效、最穩定、最持久的應用效果。今天分享一下電源mos管驅動(dòng)電路如何選型,請看下文詳情。
圖1 IC直接驅動(dòng)MOSFET
電源IC直接驅動(dòng)是我們最常用的驅動(dòng)方式，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅動(dòng)方式，使用這種驅動(dòng)方式，應該注意幾個(gè)參數以及這些參數的影響。第一，查看一下電源IC手冊，其最大驅動(dòng)峰值電流，因為不同芯片，驅動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。
第二，了解一下MOSFET的寄生電容，如圖1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅動(dòng)峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動(dòng)能力不足，上升沿可能出現高頻振蕩，即使把圖 1中Rg減小，也不能解決問(wèn)題! IC驅動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素，都影響驅動(dòng)電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無(wú)限減小。
如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內部的驅動(dòng)能力又不足時(shí)，需要在驅動(dòng)電路上增強驅動(dòng)能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅動(dòng)能力，其電路如圖 2虛線(xiàn)框所示。
圖2 圖騰柱驅動(dòng)MOS
這種驅動(dòng)電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓撲增加了導通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。
圖3 加速MOS關(guān)斷
關(guān)斷瞬間驅動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如圖3所示，其中D1常用的是快恢復二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。
圖4 改進(jìn)型加速MOS關(guān)斷
在第二點(diǎn)介紹的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用。當電源IC的驅動(dòng)能力足夠時(shí)，對圖2中電路改進(jìn)可以加速MOS管關(guān)斷時(shí)間，得到如圖4所示電路。用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻，當PNP三極管導通時(shí)，柵源極間電容短接，達到最短時(shí)間內把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。與圖3拓撲相比較，還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了可靠性。
圖5 隔離驅動(dòng)
為了滿(mǎn)足如圖5所示高端MOS管的驅動(dòng)，經(jīng)常會(huì )采用變壓器驅動(dòng)，有時(shí)為了滿(mǎn)足安全隔離也使用變壓器驅動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開(kāi)直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。
當源極輸出為高電壓的情況時(shí)，我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的，既我們以源極為參考點(diǎn)，搭建偏置電路，驅動(dòng)電壓在兩個(gè)電壓之間波動(dòng)，驅動(dòng)電壓偏差由低電壓提供，如下圖6所示。
圖6 源極輸出為高電壓時(shí)的驅動(dòng)電路
除了以上驅動(dòng)電路之外，還有很多其它形式的驅動(dòng)電路。對于各種各樣的驅動(dòng)電路并沒(méi)有一種驅動(dòng)電路是最好的，只有結合具體應用，選擇最合適的驅動(dòng)。
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