開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用詳細解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-07-07
當電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過(guò)這個(gè)二極管導出來(lái)，不至于擊穿這個(gè)MOS管。（起到保護MOS管的作用）
溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構如下圖所示，在N-epi外延層上擴散形成P基區，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)形成深度超過(guò)P基區的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶硅填充溝槽，利用自對準工藝形成N+源區，背面的N+substrate為漏區，在柵極加上一定正電壓后，溝槽壁側的P基區反型，形成垂直溝道。
由下圖中的結構可以看到，P基區和N-epi形成了一個(gè)PN結，即MOSFET的寄生體二極管。
1、全橋逆變電路
2、三相橋電路
3、LLC半橋諧振電路ZVS
4、移相全橋PSFB ZVS
5、HID照明（ZVS）
1、MOSFET體二極管反向恢復
2、LLC半橋諧振變換器
3、LLC電壓增益
4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換
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