VMOS管-VMOS管檢測方法有哪些及注意事項

VMOS管

VMOS管檢測，vmos管全稱(chēng)V-groove metal-oxide semiconductor，或功率場(chǎng)效應管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。

vmos管工作原理是什么

VMOS功率場(chǎng)管的外形和內部結構示意圖如圖1所示，圖1(b)為P溝道VMOS管柵極做成V形槽狀，使得柵極表面和氧化膜表面的面積較大，有利于大電流控制，柵極仍然與漏、源極是絕緣的，因此VMOS管也是絕緣柵場(chǎng)效應管。漏極D從芯片上引出。

與MOS管比較，—是源極與兩極的面積大，二是垂直導電(Mos管是沿表面水平導電)，二者決定了VMOS管的漏極電流ID比MOS管大。電流ID的流向為：從重摻雜M+型區源極出發(fā)，通過(guò)P溝道進(jìn)入輕摻雜N-漂移區，然后到達漏極。這種管于的耐壓高、功率大，被廣泛用于放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中，使用時(shí)要注意加裝散熱器，以免燒壞管子。

vmos管是什么，根據結構的不同，vmos管分為兩大類(lèi)：

VMOS管，即垂直導電V形槽MOS管；

VDMOS管，即垂直導電雙擴散MOS管。

它們的結構分別如圖1-15（a）、（b） 所示，其中（a）為VVMOS結構剖面圖，（b）為VDMOS結構剖面圖。下面以VVMOS結構為例，說(shuō)明一下VMOS管的構成。

獲得垂直溝道的一種方法是形成穿入硅表面的V形槽，開(kāi)始時(shí)在N+襯底上生成一個(gè)N-外延層，在此外延層內進(jìn)行一次摻雜頗輕的P型溝道體擴散，隨后是一次N+源區擴散。然后刻蝕出V 形槽，并使它延伸進(jìn)入到N-外延層內。最后生長(cháng)氧化掩蓋層。再通過(guò)金屬化提供柵極及其它所需的連接。包括N+源區與P溝道體之間的連接。

按導電溝道劃分，VMOS管可分為N溝道型和P溝道型兩種，可與雙極晶體管的npn型和pnp型相對應。作為一個(gè)例子，圖1-16 畫(huà)出N溝道增強型VMOS管的輸出特性曲線(xiàn)。從形狀上看，它與雙極晶體管的輸出特性相似。但內含不一樣，這是由VMOS管的基本特性決定的。VMOS管輸出特性中的每一條曲線(xiàn)是以柵源電壓Ugs為參變量畫(huà)出的，面雙極晶體管輸出特性的每一條曲線(xiàn)是以基極電流Ib為參變量畫(huà)出的。

VMOS管檢測方法

VMOS管的檢測方法有哪些？VMOS管檢測方法有以下四種檢測方法，更加詳細的內容請見(jiàn)下文。

1、檢查跨導

將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

2、判定柵極G

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

3、測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4、判定源極S、漏極D

由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。南平電工培訓老師建議大家用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

VMOS管注意事項

1、多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復合管管子一般不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

2、VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時(shí)應交換表筆的位置。

3、提醒大家使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達到30W。

4、有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。

5、現在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設備中。

6、目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專(zhuān)供交流電機調速器、逆變器使用。

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