結型場(chǎng)效應管（JFET）知識概述、工作特性、結構與圖形符號等解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-12-30
結型場(chǎng)效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同一塊N形半導體上制作兩個(gè)高摻雜的P區，并將它們連接在一起，所引出的電極稱(chēng)為柵極g，N型半導體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為漏極d，源極s。結型場(chǎng)效應晶體管是一種具有放大功能的三端有源器件,是單極場(chǎng)效應管中最簡(jiǎn)單的一種,它可以分N溝道或者P溝道兩種。
對于耗盡型的JFET，在平衡時(shí)(不加電壓)時(shí)，溝道電阻最小；電壓Vds和Vgs都可改變柵p-n結勢壘的寬度，并因此改變溝道的長(cháng)度和厚度（柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化），使溝道電阻變化，從而導致Ids變化，以實(shí)現對輸入信號的放大。
當Vds較低時(shí)，JFET的溝道呈現為電阻特性，是所謂電阻工作區，這時(shí)漏極電流基本上隨著(zhù)電壓Vds的增大而線(xiàn)性上升，但漏極電流隨著(zhù)柵極電壓Vgs的增大而平方式增大；進(jìn)一步增大Vds時(shí)，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達到最大而飽和（飽和電流搜大小決定于沒(méi)有被夾斷的溝道的電阻），這就是JFET的飽和放大區，這時(shí)JFET呈現為一個(gè)恒流源。
JFET的放大作用可用所謂跨導gm=δIds/δVgsS](Vds=常數) 來(lái)表示，要求跨導越大越好。
結型場(chǎng)效應管分類(lèi)：N溝道和P溝道兩種。如下圖所示為N溝道管的結構和符號。
如右圖所示為N溝道結型場(chǎng)效應管的結構示意圖。
由于結型管外加的是反偏電壓，沒(méi)有柵極電流，所以沒(méi)有輸入特性。漏極電流iD與柵源電壓UGS的關(guān)系曲線(xiàn)稱(chēng)為轉移特性。即
場(chǎng)效應管具有放大作用，可以組成放大電路，它與雙極性三極管相比具有以下特點(diǎn)：
（1）場(chǎng)效應管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；
（2）場(chǎng)效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；
（5）場(chǎng)效應管的抗輻射能力強。
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