MOS場(chǎng)效晶體管-功率場(chǎng)效晶體管結構與工作原理-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2017-05-16
功率場(chǎng)效應晶體管（P-MOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)功率MOSFET，是使用大都載流子導電的半導體器材，且導通時(shí)只要一種極性的載流子參加導電，是單極型晶體管。與使用少數載流子導電的雙極型功率晶體管比較，功率 MOSFET 只靠單一載流子導電 ，不存在存儲效應 ，因而其關(guān)斷進(jìn)程十分敏捷 ，其開(kāi)關(guān)時(shí)間在 10 - 100ns 之間 ，作業(yè)頻率可達 100kHz以上，最高能夠到達500kHz。功卒MOSFET、開(kāi)關(guān)速度快，作業(yè)頻率高，能夠使高頻率開(kāi)關(guān)電源在設計時(shí)體積更小、質(zhì)量更輕，習慣開(kāi)關(guān)電源小型化、高效率化和高可靠性的開(kāi)展請求 。
功率 MOSFET 按導電溝道分為N 溝道和IP 溝道兩種 ，N溝迫的載梳子為空穴 ，P 溝道的載流子為電子 。其電氣符號如圖 5-16 所示 ，圖中的MOS管三個(gè)極分別為 柵極 G、漏極 D、源極 S。
常用的功率 MOSFET 主要是 N 溝道增強型 。與通常小功率 MOSFET 的橫向導電構造不間 ，功率 MOSFET 大多選用筆直導電構造 ，然后提高了耐壓和耐電流才能 ，因而它又名VMOSFET。功率 MOSFET 是電壓控制型器材 ，在它的柵極和源極間加一個(gè) 圖5-16 功率 MOSFET 的 受控的電壓 ，在漏極可獲得較大的電流 。功率 MOSFET 的柵極與源 極在電氣上是靠硅氧化層彼此阻隔的 ，具有很高的輸入阻抗 ，因而其驅動(dòng)電流很小 ，為 100nA 數量級 ，而輸山電流可達數安培至十幾安培 。功率 MOSFET 所需的驅動(dòng)功率很小，因 此其對驅動(dòng)電路的請求較低。功率 MOSFET 靜態(tài)時(shí)簡(jiǎn)直不需輸入電流 ，但在開(kāi)關(guān)過(guò)科中簾對輸 入電容充 、放電，因而它仍需定的驅動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)頻率越高 ，所需求的驅動(dòng)功率越大 。
由于功率 MOSFET 具有正的溫度系數，所以當有限個(gè)管子直接并聯(lián)時(shí) ，能夠自動(dòng)均衡 電流，不會(huì )發(fā)生過(guò)熱點(diǎn) ，熱穩定性好。
功率 MOSF'ET 具有驅動(dòng)功率小 、作業(yè)頻率高 、安全作業(yè)以寬 、元二次擊穿等特點(diǎn) 。功 率 MOSFET 的導通壓陣稍大 ，電流容量小，耐壓低 （ 小于 1儀>OV ） ，通常只適用于中小功率開(kāi)關(guān)管電源，在中低斥、小電流、高頻率范疇占用優(yōu)勢。現在，功率 MOSFET 的容量水平為 50A/500 V ，作業(yè)頻率為 100kHz。
聯(lián)系方式：鄒先生
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
