VMOS概述-VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法及注意事項解析

VMOS場(chǎng)效應管概述

VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法解析。VMOS管全稱(chēng)V-groove metal-oxide semiconductor，或功率場(chǎng)效應管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。

它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右）， 還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線(xiàn)性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。

眾所周知，傳統的MOS場(chǎng)效應管的柵極、源極和漏極大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結構特點(diǎn):

第一，金屬柵極采用V型槽結構；

第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重摻雜N+ 區（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下到達漏極D。

VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法解析

VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法步驟如下：

（1）判定柵極G

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現某腳與其它兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

（2）判定源極S、漏極D

在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

（3）測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

（4）檢查跨導

將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

注意事項

介紹了VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法之后，下面來(lái)看看它的注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時(shí)應交換表筆的位置。

（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專(zhuān)供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。

（4）現在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達到30W。

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