60v電動(dòng)車(chē)控制器MOS管

MOS電流：60V -100V

MOS電壓：80A-160A

60v電動(dòng)車(chē)控制器MOS管選型

60V MOS管的系列

60V MOS管封裝形式

TO-252、TO-92 、TO-2247、TO-3PF、TO-220、DFN5*6、DFN3*3、TO-220F、TO-263、TO-263-6L、TO-251、SOP-8、SOT-223、TSSSOP-8；

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MOS管應用于大多數電子設備，如家電、汽車(chē)電源、充電器、電動(dòng)報警器MOS管、電動(dòng)車(chē)MOS管耐壓等。再者，它在這些設備中能夠起到許多作用，比如放大電路、作為可變電阻、作為恒流源及作為電子開(kāi)關(guān)使用。

1、MOS管在電動(dòng)車(chē)控制器中的作用

正常運轉時(shí)把電池里的直流電轉換為交流電，從而帶動(dòng)電機運轉。剎車(chē)時(shí)將電機回饋的交流電轉化為直流電返回電池。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)電機是靠MOS的輸出電流來(lái)驅動(dòng)的，輸出電流越大（為了防止過(guò)流燒壞MOS管，控制器有限流保護），電機扭矩就強，加速就有力，所以MOS管在使用中是起到了“心臟”的作用。

2、MOS管在控制器電路中的工作狀態(tài)

它共有這幾種狀態(tài)。開(kāi)通過(guò)程、導通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程、截止狀態(tài)、擊穿狀態(tài)。MOS管主要損耗包括開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在MOS管承受規格之內，MOS管即會(huì )正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。

而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒(méi)完全打開(kāi)，處于脈寬調制狀態(tài)時(shí)（對應電動(dòng)車(chē)的起步加速狀態(tài)），而最高急速狀態(tài)往往是導通損耗為主。

3、MOS在電動(dòng)車(chē)控制器中的應用

我們電動(dòng)車(chē)上用的功率mos和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。小功率mos是平面型結構。而電動(dòng)車(chē)上上用的功率mos是立體結構。平面型結構是指，mos柵極，源級和漏級都在芯片表面（或者說(shuō)正面），而溝道也在芯片表面橫向排列。（我們常見(jiàn)的教科書(shū)的介紹mos原理一般都是拿平面結構介紹）。而功率mos的立體結構（溝道是深槽立體結構）是柵極和源級引線(xiàn)從芯片正面引出（其實(shí)柵極也不在表面而是內部，只是比較靠近表面），而漏級是從芯片背面引出（其實(shí)整個(gè)芯片背面都是漏級連接在一起的，整個(gè)個(gè)漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上，就是mos的金屬背板，一般是銅鍍錫的），所以我們見(jiàn)到的mos一般金屬板和中間引腳（就是漏級）是完全導通的（有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的）。

功率mos內部從漏級到源級是有一個(gè)二極管的，這個(gè)二極管基本上所有的功率mos都具有，和它本身結構有關(guān)系（不需要單獨制造，設計本身就有）。當然可以通過(guò)改變設計制造工藝，不造出這個(gè)二極管。但是這會(huì )影響芯片功率密度，要做到同樣耐壓和內阻，需要更大的芯片面積（因為結構不同）。大家只是知道這回事就行了。

我們所見(jiàn)的mos管，其實(shí)內部由成千上萬(wàn)個(gè)小mos管并聯(lián)而成（實(shí)際數量一般是上千萬(wàn)個(gè)，和芯片面積和工藝有關(guān)）。如果在工作中，有一個(gè)或幾個(gè)小管短路，則整個(gè)mos表現為短路，當然大電流短路mos可能直接燒斷了（有時(shí)表現為金屬板和黑色塑封間開(kāi)裂），又表現為開(kāi)路。大家可能會(huì )想這上千萬(wàn)個(gè)小mos應該很容易出現一個(gè)或幾個(gè)壞的吧，其實(shí)真沒(méi)那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。它們的各種開(kāi)關(guān)動(dòng)作幾乎完全一致，當然最終燒壞時(shí)，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。有時(shí)一點(diǎn)小的工藝缺陷（比如一個(gè)1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置）往往會(huì )造成整個(gè)芯片（缺陷所在的管芯）報廢。

4、MOS管損壞主要原因

過(guò)流，大電流引起的高溫損壞（分持續大電流和瞬間超大電流脈沖導致結溫超過(guò)承受值）；過(guò)壓，源漏級大于擊穿電壓而擊穿。柵極擊穿，一般由于柵極電壓受外界或驅動(dòng)電路損壞超過(guò)允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。

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