開(kāi)關(guān)電源的電路組成如下：

開(kāi)關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。

IC根據輸出電壓和電流時(shí)刻調整著(zhù)⑥腳鋸形波占空比的大小，從而不亂了整機的輸出電流和電壓。從R3測得的電流峰值信號介入當前工作周波的占空比控制，因此是當前工作周波的電流限制。

Q1的柵極受控電壓為鋸形波，當其占空比越大時(shí)，Q1導通時(shí)間越長(cháng)，變壓器所儲存的能量也就越多；當Q1截止時(shí)，變壓器通過(guò)D1、D2、R5、R4、C3開(kāi)釋能量，同時(shí)也達到了磁場(chǎng)復位的目的，為變壓器的下一次存儲、傳遞能量做好了預備。在開(kāi)關(guān)管Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器的原邊線(xiàn)圈易產(chǎn)生尖峰電壓和尖峰電流，這些元件組合一起，能很好地吸收尖峰電壓和電流。

①輸入濾波電路：C1、L1、C2組成的雙π型濾波網(wǎng)絡(luò )主要是對輸入電源的電磁噪聲及雜波信號進(jìn)行按捺，防止對電源干擾，同時(shí)也防止電源本身產(chǎn)生的高頻雜波對電網(wǎng)干擾。

Z1通常將MOS管的GS電壓限制在18V以下，從而保護了MOS管。因瞬時(shí)能量全消耗在RT1電阻上，一定時(shí)間后溫度升高后RT1阻值減?。≧T1是負溫系數元件），這時(shí)它消耗的能量非常小，后級電路可正常工作。

C3、C4 為安規電容，L2、L3為差模電感。

②輸入濾波電路：C1、L1、C2、C3組成的雙π型濾波網(wǎng)絡(luò )主要是對輸入電源的電磁噪聲及雜波信號進(jìn)行按捺，防止對電源干擾，同時(shí)也防止電源本身產(chǎn)生的高頻雜波對電網(wǎng)干擾。

3、工作原理：R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開(kāi)關(guān)MOS管并接，使開(kāi)關(guān)管電壓應力減少，EMI減少，不發(fā)生二次擊穿。輔助電路有輸入過(guò)欠壓保護電路、輸出過(guò)欠壓保護電路、輸出過(guò)流保護電路、輸出短路保護電路等。

2、 DC 輸入濾波電路原理：

③ 整流濾波電路：交流電壓經(jīng)BRG1整流后，經(jīng)C5濾波后得到較為純凈的直流電壓。

R1過(guò)小，易引起振蕩，電磁干擾也會(huì )很大；R1過(guò)大，會(huì )降低開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)速度。因為它的柵極處于不導電狀態(tài)，所以輸入電阻可以大大進(jìn)步，最高可達105歐姆，MOS管是利用柵源電壓的大小，來(lái)改變半導體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。也稱(chēng)為表面場(chǎng)效應器件。當加在壓敏電阻兩真個(gè)電壓超過(guò)其工作電壓時(shí)，其阻值降低，使高壓能量消耗在壓敏電阻上，若電流過(guò)大，F1、F2、F3

會(huì )燒毀保護后級電路。

。

1、MOS管的工作原理：目前應用最廣泛的絕緣柵場(chǎng)效應管是MOSFET（MOS管），是利用半導體表面的電聲效應進(jìn)行工作的。當電源開(kāi)啟瞬間，要對

C5充電，因為瞬間電流大，加RT1（熱敏電阻）就能有效的防止浪涌電流。在起機的瞬間，因為 C6的存在Q2不導通，電流經(jīng)RT1構成回路。

C4和R6為尖峰電壓吸收回路。

三、 功率變換電路

②

R1、R2、R3、Z1、C6、Q1、Z2、R4、R5、Q2、RT1、C7組成抗浪涌電路。當C6上的電壓充至Z1的穩壓值時(shí)Q2導通。當R5上的電壓達到1V時(shí)，UC3842休止工作，開(kāi)關(guān)管Q1立刻關(guān)斷

。

① 防雷電路：當有雷擊，產(chǎn)生高壓經(jīng)電網(wǎng)導入電源時(shí)，由MOV1、MOV2、MOV3：F1、F2、F3、FDG1 組成的電路進(jìn)行保護。

R1和Q1中的結電容CGS、CGD一起組成RC網(wǎng)絡(luò )，電容的充放電直接影響著(zhù)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)速度。若C5容量變小，輸出的交流紋波將增大。假如C8漏電或后級電路短路現象，在起機的瞬間電流在RT1上產(chǎn)生的壓降增大，Q1導通使

Q2沒(méi)有柵極電壓不導通，RT1將會(huì )在很短的時(shí)間燒毀，以保護后級電路。

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