国产成人在线视频网站,国产成人精品在视频,国产亚洲欧美日韩国产片,无遮挡又黄又刺激的视频

国产成人在线视频网站,国产成人精品在视频,国产亚洲欧美日韩国产片,无遮挡又黄又刺激的视频

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

光耦工作原理詳解-光耦參數知識與特點(diǎn)理解-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-05-28 

分享到:

光耦,光耦參數

光耦解釋

它是以光為媒介來(lái)傳輸電信號的器件,通常把發(fā)光器(紅外線(xiàn)發(fā)光二極管LED)與受光器(光敏半導體管,光敏電阻)封裝在同一管殼內。當輸入端加電信號時(shí)發(fā)光器發(fā)出光線(xiàn),受光器接受光線(xiàn)之后就產(chǎn)生光電流,從輸出端流出,從而實(shí)現了“電—光—電”轉換。以光為媒介把輸入端信號耦合到輸出端的光電耦合器,由于它具有體積小、壽命長(cháng)、無(wú)觸點(diǎn),抗干擾能力強,輸出和輸入之間絕緣,單向傳輸信號等優(yōu)點(diǎn),在數字電路上獲得廣泛的應用。


光耦的工作原理

耦合器以光為媒介傳輸電信號。它對輸入、輸出電信號有良好的隔離作用,所以,它在各種電路中得到廣泛的應用。目前它已成為種類(lèi)最多、用途最廣的光電器件之一。光耦合器一般由三部分組成:光的發(fā)射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅動(dòng)發(fā)光二極管(LED),使之發(fā)出一定波長(cháng)的光,被光探測器接收而產(chǎn)生光電流,再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電—光—電的轉換,從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離,電信號傳輸具有單向性等特點(diǎn),因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。


所以,它在長(cháng)線(xiàn)傳輸信息中作為終端隔離元件可以大大提高信噪比。在計算機數字通信及實(shí)時(shí)控制中作為信號隔離的接口器件,可以大大提高計算機工作的可靠性。又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件,因而具有很強的共模抑制能力。


光耦,光耦參數


光耦參數知識理解

(一)理解光耦

光耦是隔離傳輸器件,原邊給定信號,副邊回路就會(huì )輸出經(jīng)過(guò)隔離的信號。對于光耦的隔離容易理解,此處不做討論。


以一個(gè)簡(jiǎn)單的圖(圖.1)說(shuō)明光耦的工作:原邊輸入信號 Vin,施加到原邊的發(fā)光二極管和 Ri 上產(chǎn)生光耦的輸入電流If,If 驅動(dòng)發(fā)光二極管,使得副邊的光敏三極管導通,回路VCC、RL產(chǎn)生Ic,Ic 經(jīng)過(guò)RL產(chǎn)生Vout,達到傳遞信號的目的。原邊副邊直接的驅動(dòng)關(guān)聯(lián)是CTR(電流傳輸比),要滿(mǎn)足 Ic≤If*CTR。


光耦,光耦參數


光耦一般會(huì )有兩個(gè)用途:線(xiàn)性光耦和邏輯光耦,如果理解?


工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導通,管壓降<0.4V,Vout 約等于 Vcc(Vcc-0.4V左右),Vout大小只受Vcc大小影響。此時(shí)Ic


工作在線(xiàn)性狀態(tài)的光耦,Ic=If*CTR,副邊三極管壓降的大小等于 Vcc-Ic*R L ,Vout=Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL ,Vout大小直接與Vin成比例,一般用于反饋環(huán)路里面 (1.6V是粗略估計,實(shí)際要按器件資料,后續 1.6V 同) 。

對于光耦開(kāi)關(guān)和線(xiàn)性狀態(tài)可以類(lèi)比為普通三極管的飽和放大兩個(gè)狀態(tài)。


光耦,光耦參數


所以通過(guò)分析實(shí)際的電路,除去隔離因素,用分析三極管的方法來(lái)分析光耦是一個(gè)很有效的方法。此方法對于后續分析光耦的CTR參數,還有延遲參數都有助于理解。


(二)光耦  CTR

1、光耦能否可靠導通實(shí)際計算


舉例分析,例如圖.1 中的光耦電路,假設Ri=1k,Ro=1k,光耦 CTR=50%,光耦導通時(shí)假設二極管壓降為1.6V,副邊三極管飽和導通壓降 Vce=0.4V。輸入信號Vi是5V的方波,輸出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波嗎?

我們來(lái)算算:If=(Vi-1.6V)/Ri=3.4mA

副邊的電流限制:Ic’≤ CTR*If = 1.7mA


假設副邊要飽和導通,那么需要 Ic’= (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于電流通道限制,所以導通時(shí),Ic 會(huì )被光耦限制到 1.7mA, Vout = Ro*1.7mA=1.7V,所以副邊得到的是1.7V的方波。


為什么得不到3.3V的方波,可以理解為圖.1 光耦電路的電流驅動(dòng)能力小,只能驅動(dòng)1.7mA的電流,所以光耦會(huì )增大副邊三極管的導通壓降來(lái)限制副邊的電流到1.7mA。


解決措施:增大 If;增大 CTR;減小 Ic。對應措施為:減小 Ri 阻值;更換大 CTR 光耦;增大 Ro 阻值。


將上述參數稍加優(yōu)化,假設增大 Ri 到 200 歐姆,其他一切條件都不變,Vout 能得到3.3V的方波嗎?


重新計算:If=(Vi–1.6V)/Ri=17mA;副邊電流限制 Ic’≤ CTR*If = 8.5mA,遠大于副邊飽和導通需要的電流(2.9mA),所以實(shí)際 Ic = 2.9mA。所以,更改 Ri 后,Vout 輸出 3.3V 的方波。


開(kāi)關(guān)狀態(tài)的光耦,實(shí)際計算時(shí),一般將電路能正常工作需要的最大 Ic 與原邊能提供的最小 If 之間 Ic/If 的比值與光耦的 CTR 參數做比較,如果 Ic/If ≤CTR,說(shuō)明光耦能可靠導通。一般會(huì )預留一點(diǎn)余量(建議小于 CTR 的 90%)。


2、CTR  受那些因素影響

1)光耦本身:以8701為例,CTR在Ta=25℃/If=16mA 時(shí),范圍是(15%~35%)

說(shuō)明8701這個(gè)型號的光耦,不論何時(shí)/何地,任何批次里的一個(gè)樣品,只要在Ta=25℃/If=16mA 這個(gè)條件下,CTR是一個(gè)確定的值,都能確定在 15%~35%以?xún)取?計算導通時(shí),要以下限進(jìn)行計算,并且保證有余量。計算關(guān)斷時(shí)要以上限。


2)殼溫影響:

Ta=25℃條件下的 CTR 下限確定了,但往往產(chǎn)品里面溫度范圍比較大,比如光耦會(huì )工作在(-5~75℃)下,此種情況下 CTR 怎么確定?還是看 8701 的手冊:有 Ta-CTR 關(guān)系圖:


光耦,光耦參數


從圖中看出以25度的為基準,在其他條件不變的情況下,-5度下的CTR是25度下的 0.9 倍左右,75度下最小與25度下的CTR持平。


所以在 16mA/(-5~75℃)條件下,8701的CTR 最小值是 15%*0.9=13.5%


3) 受If影響。

假設如果實(shí)際的If是3.4mA,那么如何確定CTR在If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)條件下的最小CTR值。


查看8701的If-CTR曲線(xiàn)。圖中給出了三條曲線(xiàn),代表抽取了三個(gè)樣品做測試得到的If-CTR曲線(xiàn),實(shí)際只需要一個(gè)樣品的曲線(xiàn)即可。


光耦,光耦參數


(三)光耦延時(shí)

上述CTR影響到信號能不能傳過(guò)去的問(wèn)題,類(lèi)似于直流特性。下面主要分析光耦的延時(shí)特性,即光耦能傳送多快信號。


涉及到兩個(gè)參數:光耦導通延時(shí)tplh和光耦關(guān)斷延時(shí)tphl,以8701為例 :在If=16mA/Ic=2mA時(shí)候,關(guān)斷延時(shí)最大0.8uS,導通延時(shí)最大1.2uS。所以用 8701 傳遞 500k以上的開(kāi)關(guān)信號就需要不能滿(mǎn)足。


光耦,光耦參數


下圖是一個(gè)實(shí)測的延時(shí)波形(ch4原邊(紅),ch2副邊(綠))


光耦,光耦參數


對于tp參數的設計更應該考慮余量,因為tp參數也受其他因素影響較多。


1) 受溫度影響

8701的Ta-If特征曲線(xiàn):溫度升高,開(kāi)關(guān)延時(shí)都會(huì )增大。


光耦,光耦參數


2) 受原邊If大小影響

8701的tp-If特征曲線(xiàn):If增大,關(guān)斷延時(shí)減小,開(kāi)通延時(shí)增大


光耦,光耦參數


3) 受副邊Ic大小影響

8701 的 tp-R L  特征曲線(xiàn):R L  減小,導通延時(shí)增大明顯


光耦,光耦參數


針對具體電路的特點(diǎn),計算最大延時(shí)時(shí)也是采用與 CTR 一樣的方法,通過(guò)器件資料給定特定環(huán)境下的準確范圍,然后逐一通過(guò)三個(gè)曲線(xiàn)確定具體電路下的光耦最大延時(shí)。


注:同一個(gè)型號的光耦 CTR/延時(shí)特性是一致的,不同光耦的延時(shí)特性不盡相同,所以需要根據所用光耦的用戶(hù)手冊來(lái)確定。


光耦的結構特點(diǎn)

光耦的主要特點(diǎn)如下:

1.輸入和輸出端之間絕緣,其絕緣電阻一般都大于10000MΩ,耐壓一般可超過(guò)1kV,有的甚至可以達到10kV以上。


2.由于光接收器只能接受光源的信息,反之不能,所以信號從光源單向傳輸到光接收器時(shí)不會(huì )出現反饋現象,其輸出信號也不會(huì )影響輸入端。


3.由于發(fā)光器件(砷化鎵紅外二極管)是阻抗電流驅動(dòng)性器件,而噪音是一種高內阻微電流電壓信號。因此光電耦合器件的共模抑制比很大,所以,光電耦合器件可以很好地抑制干擾并消除噪音。


4.容易和邏輯電路配合。


5.響應速度快。光電耦合器件的時(shí)間常數通常在毫秒甚至微秒級。


6.無(wú)觸點(diǎn)、壽命長(cháng)、體積小、耐沖擊。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助