場(chǎng)效應管：場(chǎng)效應管由多數載流子參與導電,稱(chēng)為單極型晶體管.它也屬于電壓控制型半導體器件.具有輸入電阻高（108~109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn),現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.它有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場(chǎng)效應管可應用于放大。由于放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器，很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，可以常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換，允許方便地用作恒流源、允許用作可變電阻、允許用作電子開(kāi)關(guān)。

結型場(chǎng)效應管的管腳識別：

場(chǎng)效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每?jì)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結型，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。

場(chǎng)效應管任務(wù)原理用一句話(huà)說(shuō)，就是"漏極-源極間走過(guò)溝道的ID,用以電極與溝道間的pn構造成的反偏偏的電極電壓掌握ID".更準確地說(shuō)，ID走過(guò)電路的幅度，即溝道截面積，它是由pn結反偏偏的變遷，發(fā)生耗盡層擴大變遷掌握的來(lái)由。正在VGS=0的非飽滿(mǎn)海域，示意的過(guò)渡層的擴大由于沒(méi)有很大，依據漏極-源極間所加VDS的磁場(chǎng)，源極海域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有直流電ID活動(dòng)。從門(mén)極向漏極擴大的適度層將溝道的一全體形成阻塞型，ID飽滿(mǎn)。將這種形態(tài)稱(chēng)為夾斷。這象征著(zhù)過(guò)渡層將溝道的一全體阻撓，并沒(méi)有是直流電被切斷。

正在過(guò)渡層因為沒(méi)有電子、空穴的自正在挪動(dòng)，正在現實(shí)形態(tài)下簡(jiǎn)直存正在絕緣特點(diǎn)，一般直流電也難活動(dòng)。然而這時(shí)漏極-源極間的磁場(chǎng)，實(shí)踐上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部左近，因為漂移磁場(chǎng)拉去的高速電子經(jīng)過(guò)過(guò)渡層。因漂移磁場(chǎng)的強度簡(jiǎn)直沒(méi)有變發(fā)生ID的飽滿(mǎn)景象。其次，VGS向負的位置變遷，讓VGS=VGS（off），這時(shí)過(guò)渡層大體變化遮蓋全海域的形態(tài)。并且VDS的磁場(chǎng)大全體加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移位置的磁場(chǎng)，只要接近源極的很短全體，這更使直流電沒(méi)有能呆滯。

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