工業(yè)開(kāi)關(guān)電源MOS管
中國工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源分析

中國工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)發(fā)展分析根據北京捷孚聯(lián)合咨詢(xún)有限公司（JFUnited）最新調查報告《2007中國工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)調查報告》數據顯示，2006年中國工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)規模在6.7億元；從產(chǎn)品安裝方式分類(lèi)來(lái)看，2006年工業(yè)領(lǐng)域平板式開(kāi)關(guān)電源和導軌式開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品分別占市場(chǎng)總規模的66%和34%；從應用領(lǐng)域分類(lèi)來(lái)看，機械、電力和鐵路三大領(lǐng)域占工業(yè)領(lǐng)域開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)的90%，其中機械和電力兩大領(lǐng)域就占市場(chǎng)總體規模的80%。 根據JFUnited調查報告資料顯示，在2001-2006年間，占國內工業(yè)開(kāi)關(guān)電源主要份額的廠(chǎng)商，比如朝陽(yáng)、銘緯、衡孚等主要廠(chǎng)商的增長(cháng)率平均在15%-30%之間，但從整個(gè)行業(yè)來(lái)看，工業(yè)開(kāi)關(guān)電源并沒(méi)有達到預期的增長(cháng)率，而工業(yè)開(kāi)關(guān)電源的市場(chǎng)增長(cháng)率要遠低于在通信及家電、計算機領(lǐng)域，2001-2006年工業(yè)電源增長(cháng)率僅保持在10%-15%的增長(cháng)區間。另外，JFUnited調查報告指出，國內工業(yè)開(kāi)關(guān)電源在2005-2006年市場(chǎng)整體增長(cháng)速度均略超過(guò)30%，并對2007年工業(yè)開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)的發(fā)展持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。隨著(zhù)導軌式開(kāi)關(guān)電源及模塊開(kāi)關(guān)電源的快速發(fā)展，以及新技術(shù)的出現，國內的開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)格局將會(huì )有所變化，而國內外重要開(kāi)關(guān)電源廠(chǎng)商將預期增長(cháng)率鎖定在20%上下，JFUnited認為工業(yè)用平板式開(kāi)關(guān)電源未來(lái)發(fā)展速度將保持在20%左右，中國工業(yè)開(kāi)關(guān)電源的增長(cháng)速度及發(fā)展水平遠低于日本、美國、歐洲等地。 目前國外公司如ABB、歐姆龍、西門(mén)子、菲尼克斯等主要以生產(chǎn)銷(xiāo)售導軌式產(chǎn)品為主，而國內代表性公司如朝陽(yáng)、銘緯（臺資）、衡孚、德創(chuàng )、三基等主要以生產(chǎn)平板式開(kāi)關(guān)電源為主。另外，國外公司中除電盛蘭達等少數開(kāi)關(guān)電源企業(yè)在大陸有設立工廠(chǎng)以外，大部分以進(jìn)口形式在大陸銷(xiāo)售，在營(yíng)銷(xiāo)模式上，工業(yè)開(kāi)關(guān)電源企業(yè)呈現出代理和直銷(xiāo)兩種并存的模式。 調查報告資料顯示，工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源主力企業(yè)市場(chǎng)規模表現中，前四名只有朝陽(yáng)一家國內企業(yè)，而其它三家均為外資（含臺資）企業(yè)，并且朝陽(yáng)比其它三個(gè)企業(yè)的優(yōu)勢并不明顯，而國內其它企業(yè)大多保持在中等水平。行業(yè)銷(xiāo)售規模前四位朝陽(yáng)、電盛蘭達、銘緯、歐姆龍四家企業(yè)市場(chǎng)份額目前占到整個(gè)工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)份額的48%，這說(shuō)明工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源行業(yè)市場(chǎng)集中度已經(jīng)比較高，市場(chǎng)發(fā)展正超著(zhù)成熟水平發(fā)展。

前十名企業(yè)中，國內企業(yè)的總量與外資企業(yè)的總量比為1：1.5。從中可以看出，目前在國內工業(yè)開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)國內企業(yè)很大程度上落后于外資企業(yè)。 在各廠(chǎng)商工業(yè)開(kāi)關(guān)電源價(jià)格表現上，JFUnited報告指出，類(lèi)似規格（同一功率和輸出電壓）不同廠(chǎng)商的價(jià)格水平差異很大，差距在幾倍到十幾倍不等；另外，同一公司由于認證數量和類(lèi)型的差異，同一規格的產(chǎn)品價(jià)格也會(huì )有很大的差異，或者同一公司由于產(chǎn)品應用場(chǎng)合的定位不同導致價(jià)格的巨大差異，如朝陽(yáng)軍品級開(kāi)關(guān)電源分別是工業(yè)級和商業(yè)級開(kāi)關(guān)電源1.5-3倍的價(jià)差。 JFUnited在調查報告中對未來(lái)國內工業(yè)用開(kāi)關(guān)電源行業(yè)關(guān)鍵競爭因素分析中指出，國內從事工業(yè)開(kāi)關(guān)電源的企業(yè)，從整體上來(lái)講與國外企業(yè)還存在差距，產(chǎn)品的規模以及產(chǎn)品種類(lèi)不可能兼顧所有工業(yè)領(lǐng)域，優(yōu)勢集中在自身擅長(cháng)的領(lǐng)域，比如無(wú)錫宇峰重點(diǎn)在電力行業(yè)，隨著(zhù)國際企業(yè)從高端市場(chǎng)向中端市場(chǎng)的延伸，加大對國內企業(yè)的沖擊力，使得國內企業(yè)保住現有的陣地成為首要任務(wù)，因此，能否進(jìn)一步市場(chǎng)細分，加大優(yōu)勢領(lǐng)域的資源組合，成為國內企業(yè)今后發(fā)展的最大挑戰。 隨著(zhù)電盛蘭達、歐姆龍等國際工業(yè)電源巨頭實(shí)施中國本地化發(fā)展策略，并不斷兼并和重組國內優(yōu)勢企業(yè)，使工業(yè)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品在華推廣及成本戰略凸顯優(yōu)勢，未來(lái)不僅對于國內企業(yè)有相當影響，也會(huì )進(jìn)一步強占其它中高端領(lǐng)域外資品牌的市場(chǎng)份額。 從工業(yè)開(kāi)關(guān)電源細分市場(chǎng)來(lái)看，電力、鐵路、軍工、航空等領(lǐng)域，目前主要由少部分供應商壟斷，短期內這樣市場(chǎng)特點(diǎn)不會(huì )很大變化，而對于工控領(lǐng)域來(lái)講，涉及產(chǎn)品及環(huán)境比較復雜，各供應商都有不同比例的涉及，未來(lái)隨著(zhù)各家供應商的技術(shù)及產(chǎn)品發(fā)展，市場(chǎng)份額可能會(huì )出現較大變化， 行業(yè)發(fā)展水平的好壞對于行業(yè)企業(yè)發(fā)展的尤為重要，隨著(zhù)電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，各種電子、電器設備領(lǐng)域，程控交換機、通訊、電子檢測設備電源、控制設備電源等都已廣泛地使用了開(kāi)關(guān)電源，另外開(kāi)關(guān)電源又表現出替代線(xiàn)形及相控電源趨勢，未來(lái)發(fā)展空間是否將會(huì )達到或者超過(guò)預期水平，將決定工業(yè)開(kāi)關(guān)電源各企業(yè)的發(fā)展速度及未來(lái)走勢。 目前國內企業(yè)在產(chǎn)品品質(zhì)和技術(shù)上還不能和國外企業(yè)想媲美，但由于中國廉價(jià)的勞動(dòng)力和原材料，中國的產(chǎn)品價(jià)格上占有十分大的優(yōu)勢。這使得國內小的民營(yíng)企業(yè)總體規模還占有20%的規模，短期內價(jià)格及成本因素仍然為國內競爭的最主要因素之一。

國內企業(yè)與國外企業(yè)相比輸在工藝，國內開(kāi)關(guān)電源企業(yè)在規模和產(chǎn)值方面與國外企業(yè)相比水平相當。也掌握了一些獨立的技術(shù)工藝，但主要是在小型器件產(chǎn)品上。但在大型器件芯片技術(shù)上還依靠國外技術(shù)，雖然在珠三角地區盡管有大批的臺資和日資企業(yè)建立了生產(chǎn)線(xiàn)，但主要芯片技術(shù)還是外資控制。在未來(lái)的競爭中，獨立工藝技術(shù)是開(kāi)關(guān)電源企業(yè)掌握和擴展市場(chǎng)的關(guān)鍵。 JFUnited在調查報告中最后指出，國內開(kāi)關(guān)電源企業(yè)在也業(yè)務(wù)開(kāi)拓能力上與外資企業(yè)存在差距。大多數外部渠道資源匱乏，只能等待客戶(hù)上門(mén)，而歐美企業(yè)的需求信息掌握比較全面及時(shí)，渠道網(wǎng)絡(luò )豐富，使市場(chǎng)開(kāi)拓能力遠強于國內，另外，國內企業(yè)與外資企業(yè)相比，普遍存在服務(wù)意識不強，不注重客源關(guān)系維系的現象。甚至有些小企業(yè)過(guò)于追求經(jīng)濟效益，而忽略了企業(yè)的相關(guān)服務(wù)，例如產(chǎn)品質(zhì)量保證和售后服務(wù)、企業(yè)應該承擔的社會(huì )責任等。這樣的結果最終必然是企業(yè)客戶(hù)投訴越來(lái)越多，最后被市場(chǎng)淘汰。在未來(lái)的競爭中，市場(chǎng)開(kāi)拓能力及服務(wù)意識的提高也是企業(yè)發(fā)展的重要因素。

工業(yè)開(kāi)關(guān)電源MOS管供應商

本文主要是介紹工業(yè)開(kāi)關(guān)電源MOS管供應商及參數、選型詳解，深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

2005年在深圳福田，KIA半導體開(kāi)啟了前行之路，注冊資金1000萬(wàn)，辦公區域達1200平方，已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！

工業(yè)開(kāi)關(guān)電源MOS管應用方案

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開(kāi)關(guān)電源mos管選型

MOS管最常見(jiàn)的應用可能是電源中的開(kāi)關(guān)元件，此外，它們對電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設備等應用一般都配置有多個(gè)并行電源，以支持N+1 冗余與持續工作 (圖1)。各并行電源平均分擔負載，確保系統即使在一個(gè)電源出現故障的情況下仍然能夠繼續工作。不過(guò)，這種架構還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起，并保證某個(gè)電源的故障不會(huì )影響到其它的電源。在每個(gè)電源的輸出端，有一個(gè)功率MOS管可以讓眾電源分擔負載，同時(shí)各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOS管被稱(chēng)為"ORing"FET，因為它們本質(zhì)上是以 "OR" 邏輯來(lái)連接多個(gè)電源的輸出。

一、開(kāi)關(guān)電源上的MOS管選擇方法

圖1：用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管

在ORing FET應用中，MOS管的作用是開(kāi)關(guān)器件，但是由于服務(wù)器類(lèi)應用中電源不間斷工作，這個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)際上始終處于導通狀態(tài)。其開(kāi)關(guān)功能只發(fā)揮在啟動(dòng)和關(guān)斷，以及電源出現故障之時(shí) 。

相比從事以開(kāi)關(guān)為核心應用的設計人員，ORing FET應用設計人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性。以服務(wù)器為例，在正常工作期間，MOS管只相當于一個(gè)導體。因此，ORing FET應用設計人員最關(guān)心的是最小傳導損耗。

二、低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小

一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 參數來(lái)定義導通阻抗;對ORing FET應用來(lái)說(shuō)，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON) 與柵極 (或驅動(dòng)) 電壓 VGS 以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅動(dòng)，RDS(ON) 是一個(gè)相對靜態(tài)參數。

若設計人員試圖開(kāi)發(fā)尺寸最小、成本最低的電源，低導通阻抗更是加倍的重要。在電源設計中，每個(gè)電源常常需要多個(gè)ORing MOS管并行工作，需要多個(gè)器件來(lái)把電流傳送給負載。在許多情況下，設計人員必須并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。

需謹記，在 DC 電路中，并聯(lián)電阻性負載的等效阻抗小于每個(gè)負載單獨的阻抗值。比如，兩個(gè)并聯(lián)的2Ω 電阻相當于一個(gè)1Ω的電阻 。因此，一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)低RDS(ON) 值的MOS管，具備大額定電流，就可以讓設計人員把電源中所用MOS管的數目減至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過(guò)程中還有幾個(gè)MOS管參數也對電源設計人員非常重要。許多情況下，設計人員應該密切關(guān)注數據手冊上的安全工作區(SOA)曲線(xiàn)，該曲線(xiàn)同時(shí)描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系?；旧?，SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORing FET應用中，首要問(wèn)題是：在"完全導通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實(shí)際上無(wú)需SOA曲線(xiàn)也可以獲得漏極電流值。

若設計是實(shí)現熱插拔功能，SOA曲線(xiàn)也許更能發(fā)揮作用。在這種情況下，MOS管需要部分導通工作。SOA曲線(xiàn)定義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。

注意剛剛提到的額定電流，這也是值得考慮的熱參數，因為始終導通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，日漸升高的結溫也會(huì )導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡(jiǎn)單的定義是結到管殼的熱阻抗。細言之，在實(shí)際測量中其代表從器件結(對于一個(gè)垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗，在數據手冊中有描述。若采用PowerQFN封裝，管殼定義為這個(gè)大漏極片的中心。因此，RθJC 定義了裸片與封裝系統的熱效應。RθJA 定義了從裸片表面到周?chē)h(huán)境的熱阻抗，而且一般通過(guò)一個(gè)腳注來(lái)標明與PCB設計的關(guān)系，包括鍍銅的層數和厚度。

三、開(kāi)關(guān)電源中的MOS管

現在讓我們考慮開(kāi)關(guān)電源應用，以及這種應用如何需要從一個(gè)不同的角度來(lái)審視數據手冊。從定義上而言，這種應用需要MOS管定期導通和關(guān)斷。同時(shí)，有數十種拓撲可用于開(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴(lài)兩個(gè)MOS管來(lái)執行開(kāi)關(guān)功能(圖2)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。目前，設計人員常常選擇數百kHz乃至1 MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。

四、開(kāi)關(guān)電源上的MOS管選擇方法

圖2：用于開(kāi)關(guān)電源應用的MOS管對。(DC-DC控制器)

顯然，電源設計相當復雜，而且也沒(méi)有一個(gè)簡(jiǎn)單的公式可用于MOS管的評估。但我們不妨考慮一些關(guān)鍵的參數，以及這些參數為什么至關(guān)重要。傳統上，許多電源設計人員都采用一個(gè)綜合品質(zhì)因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))來(lái)評估MOS管或對之進(jìn)行等級劃分。

柵極電荷和導通阻抗之所以重要，是因為二者都對電源的效率有直接的影響。對效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

柵極電荷是產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷單位為納庫侖(nc)，是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導通阻抗RDS(ON) 在半導體設計和制造工藝中相互關(guān)聯(lián)，一般來(lái)說(shuō)，器件的柵極電荷值較低，其導通阻抗參數就稍高。開(kāi)關(guān)電源中第二重要的MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

某些特殊的拓撲也會(huì )改變不同MOS管參數的相關(guān)品質(zhì)，例如，可以把傳統的同步降壓轉換器與諧振轉換器做比較。諧振轉換器只在VDS (漏源電壓)或ID (漏極電流)過(guò)零時(shí)才進(jìn)行MOS管開(kāi)關(guān)，從而可把開(kāi)關(guān)損耗降至最低。這些技術(shù)被成為軟開(kāi)關(guān)或零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)技術(shù)。由于開(kāi)關(guān)損耗被最小化，RDS(ON) 在這類(lèi)拓撲中顯得更加重要。

低輸出電容(COSS)值對這兩類(lèi)轉換器都大有好處。諧振轉換器中的諧振電路主要由變壓器的漏電感與COSS決定。此外，在兩個(gè)MOS管關(guān)斷的死區時(shí)間內，諧振電路必須讓COSS完全放電。

低輸出電容也有利于傳統的降壓轉換器(有時(shí)又稱(chēng)為硬開(kāi)關(guān)轉換器)，不過(guò)原因不同。因為每個(gè)硬開(kāi)關(guān)周期存儲在輸出電容中的能量會(huì )丟失，反之在諧振轉換器中能量反復循環(huán)。因此，低輸出電容對于同步降壓調節器的低邊開(kāi)關(guān)尤其重要。

五、mos管初選基本步驟

1 、電壓應力在電源電路應用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規格書(shū)中標稱(chēng)漏源擊穿電壓的 90% 。

即：

VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS

注：一般地， V(BR)DSS 具有正溫度系數。故應取設備最低工作溫度條件下之 V(BR)DSS 值作為參考。

2 、漏極電流其次考慮漏極電流的選擇?；驹瓌t為MOSFET實(shí)際工作環(huán)境中的最大周期漏極電流不大于規格書(shū)中標稱(chēng)最大漏源電流的90%；漏極脈沖電流峰值不大于規格書(shū)中標稱(chēng)漏極脈沖電流峰值的 90% 。

即：

ID_max ≤ 90% * ID

ID_pulse ≤ 90% * IDP

注：一般地，ID_max及ID_pulse具有負溫度系數，故應取器件在最大結溫條件下之ID_max及ID_pulse值作為參考。器件此參數的選擇是極為不確定的—主要是受工作環(huán)境，散熱技術(shù)，器件其它參數（如導通電阻，熱阻等）等相互制約影響所致。最終的判定依據是結點(diǎn)溫度（即如下第六條之“耗散功率約束”）。根據經(jīng)驗，在實(shí)際應用中規格書(shū)目中之ID會(huì )比實(shí)際最大工作電流大數倍，這是因為散耗功率及溫升之限制約束。在初選計算時(shí)期還須根據下面第六條的散耗功率約束不斷調整此參數。建議初選于 3~5 倍左右 ID = (3~5)*ID_max 。

3 、驅動(dòng)要求MOSFEF的驅動(dòng)要求由其柵極總充電電量（Qg）參數決定。在滿(mǎn)足其它參數要求的情況下，盡量選擇Qg小者以便驅動(dòng)電路的設計。驅動(dòng)電壓選擇在保證遠離最大柵源電壓（ VGSS ）前提下使 Ron 盡量小的電壓值（一般使用器件規格書(shū)中的建議值）

4 、損耗及散熱小的 Ron 值有利于減小導通期間損耗，小的 Rth 值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。

5 、損耗功率初算MOSFET 損耗計算主要包含如下 8 個(gè)部分：

即：

PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

詳細計算公式應根據具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應用場(chǎng)合，還要考慮體內二極管正向導通期間的損耗和轉向截止時(shí)的反向恢復損耗。損耗計算可參考下文的“MOS管損耗的8個(gè)組成部分”部分。

6 、耗散功率約束器件穩態(tài)損耗功率 PD,max 應以器件最大工作結溫度限制作為考量依據。如能夠預先知道器件工作環(huán)境溫度，則可以按如下方法估算出最大的耗散功率：

即：

PD,max ≤ （ Tj,max - Tamb ） / Rθj-a

其中Rθj-a是器件結點(diǎn)到其工作環(huán)境之間的總熱阻包括Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進(jìn)去。

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