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低開(kāi)啟電壓MOS管型號-低壓內阻MOS管供應商及參數等參考資料-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-09-05 

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低開(kāi)啟電壓MOS管應用

對于一個(gè)電子產(chǎn)品,總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積,這就是低功耗設計的需要注意事項之一。

為了降低產(chǎn)品的功耗,在電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)盡量采用低開(kāi)啟電壓MOS管的產(chǎn)品。比如一個(gè)產(chǎn)品,曾經(jīng)用5v單片機正常工作,后來(lái)又了3.3v的單片機或者工作電壓更低的,那么就是在第一層次中進(jìn)行了低功耗設計,這也就是我們常說(shuō)的研發(fā)前期低功耗器件選擇。這一般需要有廣闊的芯片涉獵范圍或者與供應商有良好的溝通。

其次是模塊工作的選擇控制,一般選擇具有休眠功能的芯片。比如在設計一個(gè)系統中,如果某些外部模塊在工作中是不經(jīng)常使用的,我們可以使其進(jìn)入休眠模式或者在硬件電路設計中采用數字開(kāi)關(guān)來(lái)控制器工作與否,當需要使用模塊時(shí)將其喚醒,這樣我們可以在整個(gè)系統進(jìn)入低功耗模式時(shí),關(guān)閉一些不必要的器件,以起到省電的作用,延長(cháng)了待機時(shí)間。一般常用方法:①具有休眠模式的功能芯片②MOS管做電子開(kāi)關(guān)③具有使能端的LDO芯片。

再次,選擇具有省電模式的主控芯片?,F在的主控芯片一般都具有省電模式,通過(guò)以往的經(jīng)驗可以知道,當主控芯片在省電模式條件下,其工作電流往往是正常工作電流的幾分之一,這樣可以大大增強消費類(lèi)產(chǎn)品電池的使用時(shí)間。同時(shí),現在一些控制芯片具有雙時(shí)鐘的模式,通過(guò)軟件的配置使芯片在不同的使用場(chǎng)合使用不同的外部始終從而降低其功耗。這與始終分頻器具有異曲同工之妙,不同之處想必就是BOM的價(jià)格問(wèn)題?,F在火爆的APPLE WATCH就是低功耗的一個(gè)例子:全功能運行3-4小時(shí),持續運行18小時(shí)。

主控芯片或者相關(guān)模塊喚醒的方式選擇。通常進(jìn)過(guò)以上的步驟設計好了硬件結構,在系統需要省電,在什么時(shí)候進(jìn)入省電模式,這一般在軟件設計中實(shí)現,但是最主要還是需要根據產(chǎn)品的功能特性來(lái)決定了。當系統進(jìn)入了省電模式,而系統的喚醒也需要控制。一般系統的喚醒分為自動(dòng)喚醒和外部喚醒。

A、自動(dòng)喚醒是使用芯片內部的定時(shí)器來(lái)計時(shí)睡眠時(shí)間,當睡眠時(shí)間達到預定時(shí)間時(shí),自動(dòng)進(jìn)行喚醒。這與我們使用的看門(mén)狗或者中斷有比較相近之處,不同就是其工作與否的時(shí)序。

B、 外部喚醒就是芯片一直處于一種休眠狀態(tài),當有一個(gè)外部事件(主要是通過(guò)接口)來(lái)對芯片進(jìn)行一個(gè)觸發(fā),則芯片會(huì )喚醒,在事件處理之后消除該觸發(fā)事件而在此進(jìn)入休眠狀態(tài)。因此,根據系統的特性,就需要進(jìn)行軟件設計時(shí),來(lái)決定如何使用睡眠及喚醒,以降低系統的功耗。

低內阻mos管

MOS管導通電阻小,可以降低導通時(shí)的功耗。但無(wú)論什么元件器件,追求某項指標必會(huì )影響其它指標。以MOS管來(lái)說(shuō),高耐壓與低電阻是矛盾的,不可兼得,所以不能說(shuō)導通電阻越小越好,因為這是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導通電阻也就越小。

內阻的特點(diǎn)

1、創(chuàng )新高壓技術(shù)

2、低柵極電荷

3、定期額定雪崩

4、較強dv/dt能力

5、高電流峰值

低開(kāi)啟電壓mos管廠(chǎng)家

深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

現已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案,同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項,并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

低開(kāi)啟電壓MOS管型號

強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項,并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

低開(kāi)啟電壓MOS管型號

KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源,也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新,力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

低開(kāi)啟電壓MOS管型號

從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場(chǎng)效應管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標,KIA半導體正在持續創(chuàng )新,永不止步!

低開(kāi)啟電壓MSO管型號

低開(kāi)啟電壓mos管型號

Part Numbe

IDA

VDSSv

RDS(Ω)MAX

RDS(Ω)TYP

ciss

pF

KIA5610

5.4

100

0.31

0.28

508

KIA840S

8

500

0.9

0.7

960

KIA4820A

9

200

0.4

0.26

670

KIA10N60H

9.5

600

0.73

0.6

1570

KIA6035

11

350

0.48

0.38

844

KIA12N60H

12

600

0.65

0.53

1850

KIA13N50H

13

500

0.48

0.4

1600

KIA6410A

15

100

0.09

0.072

1480

KIA16N50H

16

500

0.38

0.32

2200

KIA7610A

25

100

0.038

0.032

2020

注:這里只列出了部分低開(kāi)啟電壓mos管型號,需要了解更多型號及詳細資料,請聯(lián)系我們!


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

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